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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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HGTG20N60B3D |
Transistores IGBT 600V IGBT UFS de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT muestras de ingeniería
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción es: |
IGBT Transistores Trenchstop 5 IGBT
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores IGBT 650V 50A IGBT Trench de parada
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Semiconductor de Rohm
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HGTP12N60C3D |
Transistores IGBT HGTP12N60C3D
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXYS
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IXYH40N120B3D1 |
Transistores IGBT
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT 50 Amperios 900V 2.7 Rds
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IXYS
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NGTB40N120FL2WG |
Transistores IGBT 1200V/40A FAST IGBT FSII y otros transistores IGBT
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En el caso de las
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT de la serie G A3/B3/C3
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IXYS
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NGTB40N120FL3WG |
IGBT Transistores IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
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En el caso de las
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IXDH35N60BD1 |
Transistores IGBT de 35 A 600 V
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IXYS
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El contenido de nitrógeno en el aceite de oliva debe ser igual o superior a: |
Transistores IGBT 17 Amperios 1700V 5.2 Rds
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
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IXYS
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IKW30N60T |
Transistores IGBT IGBT TrnchStp con recuperación rápida y suave
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Tecnologías Infineon
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IXGA30N120B3 |
Transistores IGBT GenX3 1200V IGBT
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT de alto voltaje NPT IGBTS 1700V 100A
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT 75 Amperios 600 V 1.05 V Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse. |
Transistores IGBT de 30 Amperios 1200V
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT de 48 A 600 V
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IXYS
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HGTG30N60B3 |
Transistores IGBT 600V de canal N de la serie IGBT UFS
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B serán las siguientes: |
Transistores IGBT SPM para el rectificador frontal;SPM de movimiento
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Semiconductor Fairchild
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FGH40T100SMD |
Transistores IGBT 1000V 40A Trench de parada de campo IGBT
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías M1 y M2 |
Transistores IGBT de 48 A 600 V
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IXYS
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El número de unidades de producción es: |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 10A
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Tecnologías Infineon
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IXBH16N170 |
Transistores IGBT de 1700 V y 25 A
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IXYS
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IXGK120N120A3 |
Transistores IGBT de 120 Amperios y 1200 V
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IXYS
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IXXH80N65B4H1 |
Transistores IGBT 650V/160A Trench IGBT GENX4 XPT
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IXYS
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FGH30S130P |
IGBT Transistores 1300V 30A FS SA IGBT de zanja
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Semiconductor Fairchild
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El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable. |
Transistores IGBT de alto voltaje XPT IGBT
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IXYS
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STGW80H65DFB |
IGBT Transistores Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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STMicroelectrónica
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HGTG18N120BND: el nombre del agente |
Transistores IGBT 54A 1200V N-Ch w/Ant paralelo Hyprfst Dde
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Semiconductor Fairchild
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IKW40N120H3 |
PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo I. |
Transistores IGBT con ánodo acortado TM IGBT
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Semiconductor Fairchild
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HGT1S10N120BNST |
Transistores IGBT de canal N IGBT de la serie NPT 1200V
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Semiconductor Fairchild
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IXXH50N60C3D1 |
Transistores IGBT XPT IGBT Clase C3 600V/100Amp Coempaquetado
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IXYS
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IXBH12N300 |
Transistores IGBT
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IXYS
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores IGBT 2500V/95A, HV XPT IGBT también equipados
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IXYS
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IKW75N65ES5 |
IGBT Transistores Trenchstop 5 IGBT
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Tecnologías Infineon
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IXBK55N300 |
Transistores IGBT
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IXYS
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IKW40N120T2 |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 1200V 40A
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Tecnologías Infineon
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FZ1600R17HP4 |
Modelos IGBT IGBT 1700V 1600A
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Tecnologías Infineon
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FNA41560B2 y sus derivados |
Modulos IGBT Modulo de energía inteligente Movimiento-SPM
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT N-CH 1.7KV 930A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT 1200V 450A de 3 fases
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Tecnologías Infineon
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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
Los módulos IGBT 600V/30A/SPM2
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos IGBT de 60 Amperios y 600 V
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IXYS
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FP75R12KT4 |
Los módulos IGBT 1.85V IGBT 4 PIM
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT N-CH 1.7KV 1.39KA
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Tecnologías Infineon
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FF300R17KE3 |
Los módulos IGBT N-CH 1.7KV 404A
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Tecnologías Infineon
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