Filtros
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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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STF13NM60N |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
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STMicroelectrónica
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STW26NM60N |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
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STMicroelectrónica
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FDL100N50F |
MOSFET N-CH 500V 100A hasta el 264
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En el caso de las
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NTR4003NT3G |
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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DMN55D0UT-7 |
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
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Diodos incorporados
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BVSS138LT1G |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto in
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En el caso de las
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DMP2004K-7 |
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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Diodos incorporados
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MCH3474-TL-W |
MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
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En el caso de las
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DMP2018LFK-7 |
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
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Diodos incorporados
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ZXMN2A01FTA |
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET N-CH 150V 0,9A 6-TSOP y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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FDD8880 |
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo
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En el caso de las
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NTF3055L108T1G |
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el punto 3. |
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK, para el cual se utiliza el módulo DPAK.
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En el caso de las
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FDS6375 |
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 y sus componentes
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos. |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga será el siguiente:
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En el caso de las
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DMN601WK-7 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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STMicroelectrónica
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IRF7240TRPBF |
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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Los Estados miembros deberán garantizar que los servicios de los Estados miembros se utilicen de manera uniforme. |
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFS4229TRLPBF |
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la cámar
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STMicroelectrónica
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STW9N150 |
MOSFET N-CH 1500V 8A a 247
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STMicroelectrónica
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 950V 17.5A hasta 247
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STMicroelectrónica
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IRLHS2242TRPBF |
MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
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Tecnologías Infineon
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FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56 y sus componentes
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En el caso de las
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STW9NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 8A TO-247 y otros componentes de los mismos
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STMicroelectrónica
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TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A hasta 220SIS
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toshiba
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2SK3878 |
Aplicaciones de reguladores de conmutación
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toshiba
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BLF871 |
FET LDMOS 89V 19DB SOT467C del RF
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Ampleon USA Inc.
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Se trata de la MMBTH81. |
Se trata de un transistor de radio PNP SOT-23.
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En el caso de las
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El BCV27 |
Transistores de Darlington SOT23 NPN DARLINGTON
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores de Darlington de 80 V y 300 mW
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Diodos incorporados
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FZT600TA |
Transistores de Darlington NPN Darlington
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Diodos incorporados
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MJD122T4G |
Transistores de Darlington 8A 100V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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TIP127 |
Transistores de Darlington PNP Epitaxial Darl
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STMicroelectrónica
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ULN2003AIDR |
Transistores Darlington HiVltg Hi-Crnt Darl Tránsistores de la matriz
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Las acciones de Texas Instruments
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MJD122TF, el cual es el |
Transistores de Darlington NPN Sil Darl Trans
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Semiconductor Fairchild
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BD681 |
Transistores de Darlington NPN de energía Darlington
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STMicroelectrónica
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STGW60H65DFB |
IGBT Transistores 600V 60A puerta de zanja IGBT de parada de campo
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STMicroelectrónica
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ULN2003ADR |
Darlington Transistors Darlington
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Las acciones de Texas Instruments
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HGTG5N120BND |
Transistores IGBT 21a 1200V de la serie NPT IGBT N-Ch
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Semiconductor Fairchild
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IKW40N65H5 |
Transistores IGBT muestras de ingeniería
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Tecnologías Infineon
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FGAF40N60SMD |
Transistores IGBT 600 V 80 A 79 W
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Semiconductor Fairchild
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HGTG20N60A4D |
Transistores IGBT de 600 V
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Semiconductor Fairchild
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FGL60N100BNTD |
Transistores IGBT de alta potencia
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Semiconductor Fairchild
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