Filtros
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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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DMP58D0SV-7 |
MOSFET 2P-CH 50V 0,16A SOT-563 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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FDS6990A |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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En el caso de las
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FDS8978 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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En el caso de las
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El número de unidades de producción será: |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de la máquina.
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En el caso de las
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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IRF9389TRPBF (en inglés) |
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
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Tecnologías Infineon
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DMN63D8LDW-7 |
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
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Diodos incorporados
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363 y otros sistemas de transmisión de energía
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En el caso de las
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DMG6602SVT-7 |
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
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Diodos incorporados
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FDG6322C |
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
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En el caso de las
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FDC6420C |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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En el caso de las
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DMC2020USD-13 |
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
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Diodos incorporados
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FDS4935BZ |
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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En el caso de las
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IRF7351TRPBF |
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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Tecnologías Infineon
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FDMC89521L |
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
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En el caso de las
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DMG1016UDW-7 |
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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Diodos incorporados
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FDG8842CZ |
MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
MOSFET N-CH 1KV 8.3A hasta 247
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STMicroelectrónica
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DMG2305UX-13 |
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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NDS0610 |
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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FDV303N |
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata del DMN3404L-7. |
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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DMP2305U-7 |
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23 y otros componentes
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Diodos incorporados
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NTS4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 y sus componentes
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En el caso de las
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DMG2307L-7 |
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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DMP2035U-7 |
MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 y el sistema de control de las emisiones
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En el caso de las
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FDN352AP |
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 y el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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Se trata de una serie de armas de fuego. |
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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NDS356AP |
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
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En el caso de las
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FDN339AN |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 240V 0,48A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDMA510PZ |
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET y sus componentes
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En el caso de las
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FDS6670A |
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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SI4435DY |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable de la unida
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En el caso de las
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FQD7P20TM |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
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En el caso de las
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FDS4675 |
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
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En el caso de las
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IRF7493TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFH9310TRPBF |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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Tecnologías Infineon
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IRFR5410TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de la máquina.
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Tecnologías Infineon
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IRFH7004TRPBF |
MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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FDMS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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IRLR3110ZTRPBF |
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías siguientes: |
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señal
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STMicroelectrónica
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FDB33N25TM |
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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FDMS3662 |
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 y otros componentes de energía
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En el caso de las
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FCD9N60NTM |
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
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En el caso de las
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NVMFS5C604NLAFT1G |
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDPF33N25T |
MOSFET N-CH 250V 33A hasta 220F
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En el caso de las
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FDB047N10 |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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En el caso de las
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