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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT Transistor LED Drive TO252 T&R 2.5K
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Diodos incorporados
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NSS1C201LT1G |
Transistores bipolares - BJT NPN 100V bajo V-SAT SOT23
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En el caso de las
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BC846B |
Transistores bipolares - BJT NPN GP 100MA 65V
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Nexperia
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BSR19A, 215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS HV TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares - Tra
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Nexperia
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MMBT4401LT1G |
Transistores bipolares - BJT 600mA 60V NPN
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En el caso de las
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BC846BLT1G |
Transistores bipolares - BJT 100mA 80V NPN
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En el caso de las
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BCX53 |
Transistores bipolares - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
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Nexperia
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En el punto 807-40,215 |
Transistores bipolares - BJT PNP GP 500MA 45V
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Nexperia
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El BCX54-16,115 |
Transistores bipolares - BJT NPN 45V 1A
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Nexperia
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2SC2873-Y |
Transistores epitaxiales de silicio NPN
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toshiba
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FMMT624TA |
Transistores bipolares - BJT NPN SuperSOT
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Diodos incorporados
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en el caso de los vehículos de la categoría M2115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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BC857,215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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BC847,215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 3A 50V
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En el caso de las
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Se trata de una prueba de detección. |
Transistores bipolares - BJT PNP de alto voltaje
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Diodos incorporados
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En el caso de los vehículos de motor, el valor de los valores de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones. |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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En el caso de las
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BC847A, 215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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FMMT417TD |
Transistores bipolares - BJT NPN Avalanche (Tranzistores bipolares)
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Diodos incorporados
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BC817-40 |
Transistores bipolares - BJT NPN GP 500 45V
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Nexperia
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
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Semiconductor Fairchild
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FGL40N120AND |
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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En el caso de las
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IKP20N60T |
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el código de identificación FID60-06. |
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IXYS
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IXBX75N170 |
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IXYS
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
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Tecnologías Infineon
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BCP69T1G |
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En el caso de las
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PZT2907AT1G |
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En el caso de las
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2SC5103TLQ: las condiciones de las mismas son las siguientes: |
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Semiconductor de Rohm
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2SC4097T106Q |
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Semiconductor de Rohm
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2SA2088T106Q |
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Semiconductor de Rohm
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2SD1782KT146R |
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
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Diodos incorporados
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FF150R12RT4 |
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Tecnologías Infineon
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BCX6825TA |
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Diodos incorporados
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BC847B, 215 |
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Nexperia
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FS820R08A6P2B |
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Tecnologías Infineon
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2DB1182Q-13 |
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Diodos incorporados
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DSS20200L-7: las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo |
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Diodos incorporados
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IKW25N120H3 |
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Tecnologías Infineon
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ZTX694BSTZ |
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
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En el caso de las
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El año 807-25 a.C.215 |
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Nexperia
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el número de unidad de control de la unidad de control de la unidad,215 |
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Nexperia
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el número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga;115 |
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Nexperia
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