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Los tiristores

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Diacs, SIDAC y otros

(2)

Se aplicarán las siguientes condiciones:

(21)

transistores

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FETs, MOSFETs

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Bipolaridad (BJT)

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IGBTs

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Termistores del PTC

(1)

Termóstatos - de estado sólido

(3)

DTD (detector de temperatura de resistencia)

(5)

Termistores NTC

(20)

Sensores magnéticos

(115)

Interruptores (en estado sólido)

(65)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

(41)

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

(4)

Compas, campo magnético (módulos)

(5)

Sensores de corriente

(20)

Sensores de proximidad

(4)

Sensores ópticos

(198)

Sensores de imagen, cámara

(10)

Detectores fotográficos - Receptor remoto

(16)

Las demás

(20)

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

(43)

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

(34)

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

(21)

Las demás máquinas de la partida 8411

(15)

Producción analógica reflectante

(22)

Medición de la distancia

(9)

Reflexiva - Logic de salida

(6)

Detectores fotográficos - Salida lógica

(1)

Productos fotovoltaicos, industriales

(1)

sensores de movimiento

(77)

Acelerómetros

(32)

Las unidades de medida inerciales (IMU)

(27)

Las demás:

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Interruptores de inclinación

(1)

Sensores ópticos de movimiento

(5)

Inclinómetros

(4)

Sensores de humedad y humedad

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Sensores de flujo

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Sensores del gas

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Sensores de audio

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Micrófonos

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Sensores de presión industriales

(1)

Sensores de corriente

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Sensores actuales del soporte del tablero

(2)

Sensores magnéticos

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Soporte Hall Effect/sensores magnéticos del tablero

(10)

Sensores ambientales

(19)

Sensores de humedad montados en el tablero

(19)

Sensores de movimiento y posición

(38)

Acelerómetros

(2)

IMUs - unidades de medida de inercia

(10)

Sensores de movimiento y posición montados en el tablero

(25)

Las demás:

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Sensores de temperatura

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Sensores de temperatura del soporte del tablero

(4)

Sensores de temperatura industriales

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(517)

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET 500V 64A

Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad.

Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad.

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS

Se aplicará el procedimiento de ensayo.

Se aplicará el procedimiento de ensayo.

MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2

SI9407BDY-T1-E3

SI9407BDY-T1-E3

MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V

DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

MOSFET MOSFET,P-CHANNEL

El número de unidades de producción de los equipos de ensayo se calculará en función de las características de las unidades de ensayo.

El número de unidades de producción de los equipos de ensayo se calculará en función de las características de las unidades de ensayo.

MOSFET N-CHANNEL 30/40V

FQB8P10TM

FQB8P10TM

MOSFET 100V P-Channel QFET

FDG6301N

FDG6301N

MOSFET SC70-6 N-CH 25V

Se trata de un documento de identificación.

Se trata de un documento de identificación.

MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet

Se aplican las siguientes medidas:

Se aplican las siguientes medidas:

MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP

	Imagen	parte #	Descripción	fabricante	Común	RFQ
		MMBT2222A-7-F		Diodos incorporados
		MMBTA06LT1G		En el caso de las

23 24 25 26 27

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