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FCP22N60N

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

IRFS4410ZTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

TK20A60U

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS

IPA60R400CE

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

IPD25N06S4L-30

MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2

El número de unidades de producción es:

MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds

Se aplicará el método siguiente:

MOSFET 32 Amps 500V 0.16 Rds

El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

MOSFET 800V 13A

DMP6023LFGQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

parte #	Descripción	fabricante
STGW45HF60WD	Transistores IGBT 45A 600V IGBT muy rápido	STMicroelectrónica
FGH60N60SMD	Transistores IGBT 600V/60A IGBT de parada de campo versión 2	Semiconductor Fairchild
FGL40N120ANTU	Transistores IGBT 1200V NPT IGBT	Semiconductor Fairchild
El número de unidades es el siguiente:	Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 15A	Tecnologías Infineon
IHW30N160R2	Transistores IGBT RC-IGBT mono diodo 1600V 30A	Tecnologías Infineon
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2		IXYS
IXYX120N120C3		IXYS
IXGT6N170A		IXYS
FGH60N60UFDTU		Semiconductor Fairchild
FF300R12KT4		Tecnologías Infineon
IXGH6N170A		IXYS
Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.		IXYS
FGA25N120ANTD		En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:		STMicroelectrónica
IXGH30N120B3D1		IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:		Tecnologías Infineon
Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 no se aplicarán.		Tecnologías Infineon
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.		Tecnologías Infineon
2SD2391T100Q: el valor de las emisiones de CO2		Semiconductor de Rohm
HN1A01FU-Y		toshiba
2SC5658T2LQ: las condiciones de las mismas son las siguientes:		Semiconductor de Rohm
Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2.		Tecnologías Infineon
en el caso de las máquinas de la categoría M2 o M3215		Nexperia
MJD112T4G		En el caso de las
IXGH16N170		IXYS
AUIRG4PH50S		Tecnologías Infineon
FGH75T65UPD: el número de unidades de seguridad		Semiconductor Fairchild
FGH40N60SMDF		Semiconductor Fairchild
PBSS9110X,135		Nexperia
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades		IXYS
FCX790ATA		Diodos incorporados
FMMT718TA		Diodos incorporados
DZT5551-13		Diodos incorporados
MMBT3904LP-7		Diodos incorporados
2SB1132		Semiconductor de Rohm
2SB1181TLR: el sistema de control de las emisiones de gases de escape		Semiconductor de Rohm
BC817-25LT1G		En el caso de las
2SA1576AT106Q: el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero		Semiconductor de Rohm
Se trata de un sistema de control de velocidad.		Tecnologías Infineon
Las condiciones de funcionamiento de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.		En el caso de las
Se aplicarán las disposiciones siguientes:		Tecnologías Infineon
Se aplicará el procedimiento siguiente:		Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.		En el caso de las
MJD32C-13 y sus componentes		Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:		Nexperia
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.		En el caso de las
el número de unidad de control de la unidad de control de la unidad,315		Nexperia
AIKQ120N60CT		Tecnologías Infineon
2SB1188T100R: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B.		Semiconductor de Rohm
2SA1797T100Q		Semiconductor de Rohm

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Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales