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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.

MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds

SQ1440EH-T1_GE3

MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

IXFH170N10P

MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds

El número de unidades de producción

MOSFET 100V 180A

Se aplican las siguientes medidas:

MOSFET SWITCHING DEVICE

SPA17N80C3

MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

BVSS123LT1G

MOSFET NFET 100V 170MA 6OH

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la planta, el valor de las emisiones de CO2 de la planta será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la planta.

MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET

Si el valor de las emisiones de CO2 es superior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior a 0,9%.

MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V

SI7252DP-T1-GE3

MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET

parte #	Descripción	fabricante
2SB1694T106 Las demás:		Semiconductor de Rohm
NJW0281G		En el caso de las
FZT751TA		Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:		Tecnologías Infineon
D45H8G		En el caso de las
2SD1815S-TL-E. El número de unidades de seguridad de las que se trate.		En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor		En el caso de las
en el caso de las máquinas de la categoría M2235		Nexperia
2SA1708S-AN: el número de unidad		En el caso de las
FZT855TA		Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:		Diodos incorporados
Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías		Diodos incorporados
BCP56-16, en el caso de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo.115		Nexperia
2SB1260T100R: el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero		Semiconductor de Rohm
FZT753TA		Diodos incorporados
MJD31CT4G		En el caso de las
2SD2704KT146 Las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros		Semiconductor de Rohm
2SC5824T100R: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B		Semiconductor de Rohm
2SC5866TLQ: las condiciones de los servicios de seguridad		Semiconductor de Rohm
Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los vehículos se aplicarán en el caso de los vehículos de las categorías M1 y M2.		En el caso de las
FCX493TA		Diodos incorporados
el punto de referencia de la partida B.115		Nexperia
MJD45H11T4G		En el caso de las
en el caso de los vehículos de la categoría M2115		Nexperia
SI7540DP-T1-E3	MOSFET N- y P-CANAL 30V	Vishay Semiconductores
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET 32 Amperios 500V 0,15 Rds	IXYS
IXTH13N110	MOSFET 13 Amperios 1100V 0,92 Rds	IXYS
El número de unidades de producción	Se aplicará el método de ensayo de los datos.	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET 600V 64A: el número de unidades de energía de la unidad	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET 30 Amperios 1000V 0,35 Rds	IXYS
2SK1058-E. El número de la autoridad competente	MOSFET Potencia MOSFET	Renesas Electrónica
FQP20N06L	MOSFET 60V N-Canal QFET Nivel lógico	Semiconductor Fairchild
NX1029X, 115	MOSFET 60/50V, 330/170 mA MOSFET de zanja N/P-ch	Nexperia
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.	MOSFET de doble canal N	Diodos incorporados
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.	MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Calificado	Vishay Semiconductores
DMP1045U-7	MOSFET MOSFET BVDSS y otros	Diodos incorporados
IPW60R037P7	MOSFET ALTO POWER_NEW	Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET 20V MOSFET de canal de trincheras en P	Nexperia
Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 no se aplicarán.	MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 COOLMOS C3	Tecnologías Infineon
FDMC86102	MOSFET 100 / 20V N-Chan PowerTrench (Tranqueo de energía de N-Chan)	Semiconductor Fairchild
Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:	MOSFET de potencia MOSFET - CoolMOS	Las demás
TPH1400ANH,L1Q: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero	MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC	toshiba
IRF7103TRPBF	El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l	Tecnologías Infineon
FDC637AN	MOSFET SSOT-6 N-CH 20 V	Semiconductor Fairchild
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Rds rojo	IXYS
Se aplicará el procedimiento de ensayo.	MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 y otros sistemas de transmisión de energía	Tecnologías Infineon
IPB180N04S4-H0	MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos	Tecnologías Infineon
IRF9540NSTRRPBF (en inglés)	MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117 mOhms 64.7nC	Tecnologías Infineon
Los servicios de la Oficina de Asuntos Exteriores	MOSFET N Canal FET 250V, 360mA	Circuitos integrados IXYS
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el anexo I.	MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH	Vishay Semiconductores

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Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales