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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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DMN3135LVT-7 |
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
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Diodos incorporados
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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En el caso de las
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DMP3085LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDS4953 |
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
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En el caso de las
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STN3NF06L |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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STMicroelectrónica
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STP75NF75 |
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
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STMicroelectrónica
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BSS123-7-F |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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MMBF170LT1G |
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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DMG1012UW-7 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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DMG2305UX-7 |
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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BSS84W-7-F |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
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Diodos incorporados
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 y otros dispositivos de transmisión de energía
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Diodos incorporados
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DMP10H4D2S-7 |
MOSFET P-CH 100V 0,27A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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NTR4501NT1G |
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDN340P |
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de l
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Tecnologías Infineon
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MGSF1N03LT1G |
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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FDN304P |
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
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En el caso de las
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BSS169H6327XTSA1 y sus derivados |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Tecnologías Infineon
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ZXM61P03FTA |
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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DMP4047LFDE-7 |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga ser
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Diodos incorporados
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FDS9435A |
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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DMP6110SVT-7 |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros |
MOSFET P-CH 200V 0,67A SOT-223 y otras fuentes de energía
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En el caso de las
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ZVN3310FTA |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Diodos incorporados
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FDS6680A |
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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FDD5614P |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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En el caso de las
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FDS 5351 |
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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NTD2955T4G |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FQD5P20TM |
Se aplicará el método de cálculo de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero
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En el caso de las
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FDS8447 |
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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ZXMP3A16GTA |
MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 y otros componentes
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Diodos incorporados
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FDMC2523P |
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ y otros componentes
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En el caso de las
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FDD8870: el número de unidades |
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK: el sistema de transmisión de energía de los motores de las unidades de p
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En el caso de las
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FDS2672: las condiciones de los productos |
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDD16AN08A0 |
Se aplicará el método de medición de la velocidad.
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad de la máquina.
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En el caso de las
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FDMS7650 |
MOSFET N-CH 30V POWER56 y sus componentes
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En el caso de las
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IRF4905STRLPBF |
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IRF7749L1TRPBF |
MOSFET N-CH 60V 33A Dirección 8
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Tecnologías Infineon
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IRLS3034TRL7PP |
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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FQP32N20C |
MOSFET N-CH 200V 28A hasta 220
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En el caso de las
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FDPF51N25 |
MOSFET N-CH 250V 51A hasta 220F
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En el caso de las
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STH315N10F7-2 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas.
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STMicroelectrónica
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 30V 0,35A SOT23
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Diodos incorporados
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NTK3043NT1G |
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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