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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se trata del DMN601TK-7. |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto in
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Diodos incorporados
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DMP6185SE-13 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas.
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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En el caso de las
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FDS6630A: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B |
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC y otros componentes
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En el caso de las
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DMP6180SK3-13 |
MOSFET P-CH 60V 14A TO252 y otros componentes
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Diodos incorporados
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FDD7N20TM |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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En el caso de las
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IPD50N04S4L-08 |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 El sistema de transmisión de energía de los motores de combustión re
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Tecnologías Infineon
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FDD306P |
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad.
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En el caso de las
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BS170 |
MOSFET N-CH 60V 500MA hasta el 92
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En el caso de las
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STD44N4LF6 |
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo de la composición de los gases
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STMicroelectrónica
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FDD3860: el número de unidades |
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, para el cual se utilizará el sistema de control de velocidad.
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En el caso de las
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FDS86267P |
MOSFET P-CH 150 V
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En el caso de las
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IRFB7545PBF |
MOSFET N CH 60V 95A hasta 220AB
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Tecnologías Infineon
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IRF100S201 |
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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IRFB7430PBF |
MOSFET N CH 40V 195A TO220
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Tecnologías Infineon
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AUIRF5210STRL |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 60V 120A hasta el 262
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Tecnologías Infineon
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IRFR4510TRPBF |
MOSFET N CH 100V 56A DPAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señal
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Tecnologías Infineon
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El número de los miembros de la familia |
MOSFET P-CH 55V 74A hasta 220AB
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Tecnologías Infineon
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IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMOS TO247 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFB3006GPBF |
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
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Tecnologías Infineon
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2SK2837 |
Tipo MOS del canal N de silicio (π−MOSV)
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Semiconductor de Toshiba
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, libre de Pb
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Renesas Electrónica
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, y a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotriz
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 180 Amperios 100V 0,008 Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 230 Amperios 100 V 0,006 Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFETO MOSFETO
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Renesas Electrónica
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET 50 Amperios 800 V
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IXYS
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NX138AKSX |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l
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Nexperia
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
MOSFET 300V 73A: el número de unidades
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IXYS
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CSD88537ND |
MOSFET de potencia de doble canal N de 60 V
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Las acciones de Texas Instruments
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse. |
MOSFET 20 Amperios 1000V 1 Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET 20V MOSFET de zanja de canal N
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Nexperia
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
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Vishay Semiconductores
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SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDP33N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará a los productos de la categoría II, incluidos los productos de la categoría III. |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IPP60R099P6 |
MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 900V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V Nivel lógico con Zener
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Semiconductor Fairchild
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IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 Amp
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Vishay Semiconductores
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DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Modo H-Puente 20V VGSS
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de clase X
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IXYS
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El objetivo es: |
MOSFET 82 Amperios 250V 0.035 Rds
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD100N04 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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2N7002BKS,115 |
MOSFET de doble canal N 60V 300mA
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Nexperia
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