Filtros
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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 80 V, MOSFET de canal N con zanja
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Nexperia
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El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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Si3552DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
MOSFET -60V -30A Canal P
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Semiconductor Fairchild
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IRFR320TRPBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Amp
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Los resultados de la evaluación de los resultados de la evaluación de los resultados de la evaluació
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Nexperia
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Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad. |
MOSFET 20V, -20V.0192ohm @-10V -8A P-Ch
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Vishay Semiconductores
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IRFB4310ZPBF |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
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Tecnologías Infineon
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Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET -26.0 Amperios -200V 0.170 Rds y también
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IXYS
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FQD12N20TM |
MOSFET 200V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDMS8888: el número de unidad. |
MOSFET PwrTrench de canal N 30V 21A 9.5mOhm
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor: |
MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
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Semiconductor Fairchild
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FQP13N10 |
MOSFET N-CH/100V/12.8A 0,18OHM
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Semiconductor Fairchild
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FDS6690AS: las condiciones de las mismas son las siguientes: |
MOSFET 30V NCH TRENCH de potencia sincronizado
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Semiconductor Fairchild
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FDD6630A |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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SI7846DP-T1-E3 |
MOSFET 150V 6,7A 5,2 W
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET Transistor Pwr de 100 V OptiMOS 5
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Tecnologías Infineon
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IPB60R380C6 |
MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDS6679 (incluido el número de unidades) |
MOSFET SO-8
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Semiconductor Fairchild
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SI7232DN-T1-GE3 |
MOSFET 20V 25A 23W 16.4mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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FDC6318P |
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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DMP4025LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
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Diodos incorporados
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IRF9358TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
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Tecnologías Infineon
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NDS9945 |
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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En el caso de las
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FDMA3023PZ |
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
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En el caso de las
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FDMA6023PZT |
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
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En el caso de las
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IRF7319TRPBF |
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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Tecnologías Infineon
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DMP3056LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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Diodos incorporados
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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En el caso de las
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FDMS3620S |
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
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En el caso de las
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FDS6975 |
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
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En el caso de las
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DMN65D8LDW-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
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Diodos incorporados
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DMC2038LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
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Diodos incorporados
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FDC6333C |
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 y el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la s
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Tecnologías Infineon
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FDC6506P |
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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En el caso de las
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FDS9958 |
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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En el caso de las
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Se trata de una serie de medidas que se aplican a los vehículos de transporte público. |
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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STN1NK60Z |
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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STMicroelectrónica
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El equipo de seguridad de la empresa |
MOSFET N-CH 1KV 13A hasta 247
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STMicroelectrónica
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FDV301N |
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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NTS4001NT1G |
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 y sus componentes
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En el caso de las
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DMN6140L-7 |
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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DMP3099L-7 y sus componentes |
MOSFET P-CH 30V SOT23: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invernadero
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Diodos incorporados
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DMG3402L-7 |
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
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Diodos incorporados
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DMG3415U-7 |
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NDS331N |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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