Filtros
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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IRFS7430TRLPBF |
MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de
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Tecnologías Infineon
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STD25NF20 |
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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STMicroelectrónica
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IRFR15N20DTRPBF |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de los resultados de los ensayos. |
MOSFET N-CH 80V TO263-3 y otros
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Tecnologías Infineon
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BSS131H6327XTSA1 |
MOSFET N-CH 240V 0,11A SOT23 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFR4620TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
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Tecnologías Infineon
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IRFH7085TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los gases de combustión.
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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STMicroelectrónica
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IRFS7530TRL7PP |
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del fabricante. |
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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BSC0702LS |
Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método siguiente: |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET 30V 15A 1.8W
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Vishay Semiconductores
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FDMA530PZ |
MOSFET -30V P-Ch MOSFET de corriente de corriente
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T, que se encuentra en el centro de la ciudad de Nueva York.
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Tecnologías Infineon
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BSZ034N04LS |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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Tecnologías Infineon
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IPD90P04P4L-04 |
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FQPF13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 300V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQPF12N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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En el caso de las
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SPA11N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Tecnologías Infineon
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FDB2532 |
MOSFET 150V Fosa de QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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SPP17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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IXFK40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Rds rojo
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IXYS
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DMP2047UCB4-7 |
MOSFET P-Ch ENH Modo FET -20V -6
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor |
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A La energía de los motores de combustión renovable es la
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 500V 16A: el número de unidades de carga de la unidad de carga
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IXYS
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Se trata de una prueba de la calidad de los productos. |
MOSFET 69 Amperios 300V 0.049 Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 30V MOSFET de trinchera de canal P
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 500V 64A: el número de unidades
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad. |
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SI9407BDY-T1-E3 |
MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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DMG4435SSS-13 |
MOSFET MOSFET, canal P
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Diodos incorporados
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El número de unidades de producción de los equipos de ensayo se calculará en función de las características de las unidades de ensayo. |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas de aluminio.
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Tecnologías Infineon
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FQB8P10TM |
MOSFET 100V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDG6301N |
MOSFET SC70-6 N-CH 25 V
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En el caso de las
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET P-Ch -20V VDSS Mosfet mejorado
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Diodos incorporados
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Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 COOLMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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IPW65R110CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
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Tecnologías Infineon
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FDD7N60NZTM |
MOSFET de canal N 600V 5.5A
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Semiconductor Fairchild
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FDS6676AS |
MOSFET 30V NCH MOSFET de trenque de potencia
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Semiconductor Fairchild
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FDS6982AS |
MOSFET SO-8 N-CH 1 y 2 30V
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 10a 100V 0,165 Ohm 1Ch HS Puerta lógica
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Semiconductor Fairchild
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RFD14N05LSM |
MOSFET TO-252AA Potencia N-Ch
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Semiconductor Fairchild
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SIA931DJ-T1-GE3 |
MOSFET -30V 65mOhm@-10V -4.5A P-CH
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros. |
MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
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Vishay Semiconductores
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET TrenchP MOSFETs de potencia
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IXYS
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IPG20N06S4L-26 |
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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