Filtros
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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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BSH108,215 |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2 también está disponible en el mercado.
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Tecnologías Infineon
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SI4925DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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NTD5865NLT4G |
MOSFET N-CH único 60V 40A
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
MOSFET 20V.61A.22W
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Vishay Semiconductores
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SI7288DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 20A MOSFET doble N-CH
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Vishay Semiconductores
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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DMN601DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
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Diodos incorporados
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BSS8402DW-7-F |
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
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Diodos incorporados
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FDMA2002NZ |
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
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En el caso de las
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FDMA1032CZ |
MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
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En el caso de las
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FDS8949 |
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
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En el caso de las
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FQS4901TF |
MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
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En el caso de las
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FDS8984 |
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
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En el caso de las
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IRF7501TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
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Tecnologías Infineon
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DMP6050SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
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Diodos incorporados
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FDS9933A: el número de unidades |
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDS8960C: el valor de las emisiones de CO2 |
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC y otros
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En el caso de las
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver
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En el caso de las
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FDC6301N |
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
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En el caso de las
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DMN6040SSD-13 |
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
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Diodos incorporados
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FDS3890 |
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
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En el caso de las
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FDMQ8203 |
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
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En el caso de las
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DMP2200UDW-7 |
MOSFET 2P-CH 20V 0,9A SOT363 y otros componentes
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Diodos incorporados
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DMG6602SVTQ-7 |
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Diodos incorporados
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FDG6304P |
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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DMC3028LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 y el otro
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Diodos incorporados
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DMN26D0UFB4-7 |
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NTR5198NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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NTR4170NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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DMP3056L-7 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
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Diodos incorporados
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FDN360P |
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
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En el caso de las
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NTGS3443T1G |
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señ
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En el caso de las
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DMP3130L-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDN5630 |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDG316P |
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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ZXM61N03FTA |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NTD5867NLT4G |
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK: el número de unidades de energía de la unidad de energía de la unidad de e
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En el caso de las
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NTD3055L104T4G |
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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En el caso de las
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ZXMP6A13FQTA |
MOSFET P-CH 60V 0,9A SOT23-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2. |
MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
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En el caso de las
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DMP10H400SK3-13 |
MOSFET P-CH 100V 9A TO252 y otros componentes de la misma
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Diodos incorporados
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IRFL4315TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
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Tecnologías Infineon
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FQD11P06TM |
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
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En el caso de las
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CSD19534Q5A |
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
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Las acciones de Texas Instruments
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IRF7820TRPBF |
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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FDS3672 |
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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