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Transistores IGBT
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IKW20N60T |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 20A
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Tecnologías Infineon
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FGA20N120FTDTU |
Transistores IGBT de 1200 V con zanja de N-Chan
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Semiconductor Fairchild
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STGWA60H65DFB |
Transistores IGBT y bipolares de potencia
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STMicroelectrónica
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STGW45HF60WD |
Transistores IGBT 45A 600V IGBT muy rápido
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STMicroelectrónica
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FGH60N60SMD |
Transistores IGBT 600V/60A IGBT de parada de campo versión 2
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Semiconductor Fairchild
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FGL40N120ANTU |
Transistores IGBT 1200V NPT IGBT
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades es el siguiente: |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 15A
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Tecnologías Infineon
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IHW30N160R2 |
Transistores IGBT RC-IGBT mono diodo 1600V 30A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2 |
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IXYS
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IXYX120N120C3 |
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IXYS
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IXGT6N170A |
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IXYS
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FGH60N60UFDTU |
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Semiconductor Fairchild
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IXGH6N170A |
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IXYS
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Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa. |
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IXYS
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FGA25N120ANTD |
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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STMicroelectrónica
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IXGH30N120B3D1 |
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IXYS
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IXGH16N170 |
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IXYS
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AUIRG4PH50S |
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Tecnologías Infineon
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FGH75T65UPD: el número de unidades de seguridad |
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Semiconductor Fairchild
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FGH40N60SMDF |
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades |
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IXYS
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STGW60H65DFB |
IGBT Transistores 600V 60A puerta de zanja IGBT de parada de campo
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STMicroelectrónica
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HGTG5N120BND |
Transistores IGBT 21a 1200V de la serie NPT IGBT N-Ch
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Semiconductor Fairchild
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IKW40N65H5 |
Transistores IGBT muestras de ingeniería
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Tecnologías Infineon
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FGAF40N60SMD |
Transistores IGBT 600 V 80 A 79 W
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Semiconductor Fairchild
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HGTG20N60A4D |
Transistores IGBT de 600 V
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Semiconductor Fairchild
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FGL60N100BNTD |
Transistores IGBT de alta potencia
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Semiconductor Fairchild
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HGTG10N120BND |
Transistores IGBT 35A 1200V N-Ch
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Semiconductor Fairchild
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Se aplican los siguientes requisitos: |
Transistores IGBT 26 Amperios 1700 V 3,5 V Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
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Littelfuse
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El número de unidades de producción |
Transistores IGBT
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IXYS
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FGH40N60SMD |
Transistores IGBT 600V, 40A IGBT de parada de campo
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Semiconductor Fairchild
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HGTG30N60A4 |
Transistores IGBT de 600 V de canal N de la serie IGBT SMPS
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Semiconductor Fairchild
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IXEL40N400 |
Transistores IGBT 4000V 425ns IGBT
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IXYS
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IKW75N60T |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 75A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa. |
Transistores IGBT de 5 Amperios 1600 V
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IXYS
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El número de unidades de la serie IHW20N135R5 |
Transistores IGBT Productos IGBT TrenchStop RC
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT 72 Amperios 600V 1.35 Rds
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IXYS
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IXBH9N160G |
Transistores IGBT 9 Amperios 1600V
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IXYS
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El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías M1 y M2 será el siguiente: |
Transistores IGBT 1200V, 12A IGBT; Serie G
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IXYS
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El número de unidades de producción será el siguiente: FGA50N100BNTD2 |
Transistores IGBT N-ch / 50A 1000V
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2. |
Transistores IGBT XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
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IXYS
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IXYH50N120C3D1 |
Transistores IGBT XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
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IXYS
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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. |
Transistores IGBT 600V 30A 187W
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Tecnologías Infineon
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IKW25N120T2 |
Transistores DuoPack DE PEQUEÑAS PÉRDIDAS 1200V 25A de IGBT
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Tecnologías Infineon
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IXGH48N60C3D1 |
Transistores IGBT de 30 A 600 V
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IXYS
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FGH25T120SMD |
Transistores IGBT 1200V, 25A IGBT de tramo de parada de campo
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Semiconductor Fairchild
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FGD5T120SH |
Transistores IGBT 1200V 5A Trench de parada de campo IGBT
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Semiconductor Fairchild
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