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Transistores IGBT
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IKW50N60H3 |
Transistores IGBT con conmutación de alta velocidad
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
Transistores IGBT
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IXYS
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IXBF32N300 |
Transistores IGBT
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IXYS
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FGD3N60LSDTM |
Transistores IGBT 600V Aplicación HID IGBT
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Semiconductor Fairchild
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IXBH20N300 |
Transistores IGBT
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IXYS
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IXYB82N120C3H1 |
Transistores IGBT XPT IGBT de clase C3 1200V/160A; Copack
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IXYS
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IKW50N60T |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 50A
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 1200V 15A
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT muestras de ingeniería
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Tecnologías Infineon
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STGW30NC120HD |
Transistores IGBT N-CANAL IGBT
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STMicroelectrónica
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IXLF19N250A |
Transistores IGBT Alta tensión IGBT 2500V; 19A
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IXYS
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IXBH42N170 |
Transistores IGBT de 1700 V y 75 A
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IXYS
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IXBT42N170 |
Transistores IGBT BIMOSFET 1700V 75A
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IXYS
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FGH40T120SMD |
Transistores IGBT 1200V 40A IGBT de zanja FS2
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT 32 Amperios 1700 V 5 V Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción es: |
IGBT Transistores Trenchstop 5 IGBT
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Tecnologías Infineon
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HGTG30N60A4D |
Transistores IGBT de 600 V de canal N de la serie IGBT SMPS
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Semiconductor Fairchild
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HGTG20N60B3D |
Transistores IGBT 600V IGBT UFS de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT muestras de ingeniería
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción es: |
IGBT Transistores Trenchstop 5 IGBT
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores IGBT 650V 50A IGBT Trench de parada
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Semiconductor de Rohm
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HGTP12N60C3D |
Transistores IGBT HGTP12N60C3D
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXYS
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IXYH40N120B3D1 |
Transistores IGBT
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT 50 Amperios 900V 2.7 Rds
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IXYS
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NGTB40N120FL2WG |
Transistores IGBT 1200V/40A FAST IGBT FSII y otros transistores IGBT
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En el caso de las
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT de la serie G A3/B3/C3
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IXYS
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NGTB40N120FL3WG |
IGBT Transistores IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
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En el caso de las
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IXDH35N60BD1 |
Transistores IGBT de 35 A 600 V
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IXYS
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El contenido de nitrógeno en el aceite de oliva debe ser igual o superior a: |
Transistores IGBT 17 Amperios 1700V 5.2 Rds
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
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IXYS
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IKW30N60T |
Transistores IGBT IGBT TrnchStp con recuperación rápida y suave
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Tecnologías Infineon
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IXGA30N120B3 |
Transistores IGBT GenX3 1200V IGBT
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT de alto voltaje NPT IGBTS 1700V 100A
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT 75 Amperios 600 V 1.05 V Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse. |
Transistores IGBT de 30 Amperios 1200V
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT de 48 A 600 V
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IXYS
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HGTG30N60B3 |
Transistores IGBT 600V de canal N de la serie IGBT UFS
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B serán las siguientes: |
Transistores IGBT SPM para el rectificador frontal;SPM de movimiento
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Semiconductor Fairchild
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FGH40T100SMD |
Transistores IGBT 1000V 40A Trench de parada de campo IGBT
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías M1 y M2 |
Transistores IGBT de 48 A 600 V
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IXYS
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El número de unidades de producción es: |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 10A
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Tecnologías Infineon
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IXBH16N170 |
Transistores IGBT de 1700 V y 25 A
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IXYS
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IXGK120N120A3 |
Transistores IGBT de 120 Amperios y 1200 V
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IXYS
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IXXH80N65B4H1 |
Transistores IGBT 650V/160A Trench IGBT GENX4 XPT
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IXYS
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FGH30S130P |
IGBT Transistores 1300V 30A FS SA IGBT de zanja
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Semiconductor Fairchild
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El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable. |
Transistores IGBT de alto voltaje XPT IGBT
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IXYS
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STGW80H65DFB |
IGBT Transistores Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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STMicroelectrónica
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HGTG18N120BND: el nombre del agente |
Transistores IGBT 54A 1200V N-Ch w/Ant paralelo Hyprfst Dde
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Semiconductor Fairchild
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IKW40N120H3 |
PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT
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Tecnologías Infineon
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