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Se aplicarán las siguientes condiciones:

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Termistores NTC

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Sensores magnéticos

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Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

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Sensores de proximidad

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Sensores de imagen, cámara

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Las demás

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Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

(43)

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

(34)

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

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Las demás máquinas de la partida 8411

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Producción analógica reflectante

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Medición de la distancia

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Detectores fotográficos - Salida lógica

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Productos fotovoltaicos, industriales

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sensores de movimiento

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Acelerómetros

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Las unidades de medida inerciales (IMU)

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Las demás:

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Sensores ópticos de movimiento

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Sensores de flujo

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(19)

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Acelerómetros

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IMUs - unidades de medida de inercia

(10)

Sensores de movimiento y posición montados en el tablero

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Las demás:

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Sensores de temperatura industriales

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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

MOSFET Power MOSFET - CoolMOS

TPH1400ANH,L1Q: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero

TPH1400ANH,L1Q: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero

MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC

IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A

FDC637AN

FDC637AN

MOSFET SSOT-6 N-CH 20V

El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Se aplicará el procedimiento de ensayo.

Se aplicará el procedimiento de ensayo.

MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2

IPB180N04S4-H0

IPB180N04S4-H0

MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IRF9540NSTRRPBF (en inglés)

IRF9540NSTRRPBF (en inglés)

MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC

Los servicios de la Oficina de Asuntos Exteriores

Los servicios de la Oficina de Asuntos Exteriores

MOSFET N Channel FET 250V, 360mA

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el anexo I.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el anexo I.

MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH

	Imagen	parte #	Descripción	fabricante	Común	RFQ
		STW9NK90Z	MOSFET N-CH 900V 8A TO-247 y otros componentes de los mismos	STMicroelectrónica
		TK10A60D	MOSFET N-CH 600V 10A hasta 220SIS	toshiba
		2SK3878	Aplicaciones de reguladores de conmutación	toshiba

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