Filtros
Filtros
MOSFET
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDN339AN |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 240V 0,48A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDMA510PZ |
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET y sus componentes
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En el caso de las
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FDS6670A |
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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SI4435DY |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable de la unida
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En el caso de las
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FQD7P20TM |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
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En el caso de las
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FDS4675 |
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
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En el caso de las
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IRF7493TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFH9310TRPBF |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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Tecnologías Infineon
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IRFR5410TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de la máquina.
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Tecnologías Infineon
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IRFH7004TRPBF |
MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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FDMS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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IRLR3110ZTRPBF |
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías siguientes: |
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señal
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STMicroelectrónica
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FDB33N25TM |
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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FDMS3662 |
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 y otros componentes de energía
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En el caso de las
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FCD9N60NTM |
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
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En el caso de las
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NVMFS5C604NLAFT1G |
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDPF33N25T |
MOSFET N-CH 250V 33A hasta 220F
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En el caso de las
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FDB047N10 |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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En el caso de las
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STF13NM60N |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
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STMicroelectrónica
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STW26NM60N |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
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STMicroelectrónica
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FDL100N50F |
MOSFET N-CH 500V 100A hasta el 264
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En el caso de las
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NTR4003NT3G |
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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DMN55D0UT-7 |
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
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Diodos incorporados
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BVSS138LT1G |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto in
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En el caso de las
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DMP2004K-7 |
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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Diodos incorporados
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MCH3474-TL-W |
MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
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En el caso de las
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DMP2018LFK-7 |
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
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Diodos incorporados
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ZXMN2A01FTA |
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET N-CH 150V 0,9A 6-TSOP y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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FDD8880 |
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo
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En el caso de las
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NTF3055L108T1G |
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el punto 3. |
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK, para el cual se utiliza el módulo DPAK.
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En el caso de las
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FDS6375 |
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 y sus componentes
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos. |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga será el siguiente:
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En el caso de las
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DMN601WK-7 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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STMicroelectrónica
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IRF7240TRPBF |
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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Los Estados miembros deberán garantizar que los servicios de los Estados miembros se utilicen de manera uniforme. |
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFS4229TRLPBF |
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la cámar
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STMicroelectrónica
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STW9N150 |
MOSFET N-CH 1500V 8A a 247
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STMicroelectrónica
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 950V 17.5A hasta 247
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STMicroelectrónica
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IRLHS2242TRPBF |
MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
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Tecnologías Infineon
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FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56 y sus componentes
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En el caso de las
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