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Rectificadores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAV 70 |
GP DE ARRAY DE DIODOS 75V 150MA SOT23
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Soluciones de diodos SMC
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAV70W,115 |
DIODE ARRAY GP 100V 175MA SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAT54AW,115 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAT54SW,115 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV70W-7-F |
Se aplican las siguientes medidas:
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de gestión de la seguridad. |
DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
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En el caso de las
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Bajo el control de la autoridad competente. |
DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
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En el caso de las
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BAW56, ¿qué quieres decir?215 |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de dióxido de carbono.
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV70-7-F |
DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3
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Diodos incorporados
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
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Diodos incorporados
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DSEI2X121-02A: las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo. |
DIODE MODULE 200V 123A SOT227B
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IXYS
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DSEI2X101-06A: el número de unidad |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de dióxido de carbono en el caso de las emisiones d
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IXYS
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Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de la categoría 2. |
DIODE FRED 200V 10A TO220AB
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK
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STMicroelectrónica
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Las condiciones de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se determinarán en el anexo IV. |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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1PS70SB84, en el caso de las máquinas de la categoría N.115 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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SDM40E20LC-7 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAT54CT-7-F |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT523
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Diodos incorporados
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
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En el caso de las
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BAV199DW-7-F |
DIODE ARRAY GP 85V 140MA SOT363
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Diodos incorporados
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BAV99S,115 |
DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad. |
DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23
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En el caso de las
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BAV199.215 |
DIODE ARRAY GP 75V 160MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Los datos de las pruebas de detección se deben presentar en el formulario de ensayo.
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Diodos incorporados
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El uso de la tecnología de la información no es necesario. |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAV99-7-F |
Se aplican las siguientes medidas:
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Diodos incorporados
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El uso de la tecnología de la información en el sector de la información |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
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En el caso de las
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El BAV70,215 |
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV99.215 |
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV99.235 |
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Diodo genético puro 200V 3A axial
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D
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Tecnología de microchips
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
DIODE GP 400V 60A TO247AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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RURG8060 |
DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-2
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En el caso de las
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RURG80100 |
DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247-2
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En el caso de las
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RHRG5060 |
Diodo de generación de energía 600V 50A TO247-2
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En el caso de las
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El objetivo es el siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK
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En el caso de las
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RHRP3060: las condiciones de los productos |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2L
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En el caso de las
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RHRP30120: las condiciones de los productos |
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono.
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En el caso de las
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LXA15T600 |
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
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Integraciones de poder
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RHRP8120 |
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
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En el caso de las
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Las demás: |
DIODE, LOW LEAKAGE, 200MA, 75V,
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Semiconductor de buen arco
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Se trata de una serie de medidas de control. |
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
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IXYS
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DPG60IM300PC-TRL, para el cual se utiliza el código DPG. |
DIODE GEN PURP 300V 60A TO263AA
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IXYS
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