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Rectificadores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
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En el caso de las
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B340LA-13-F: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Diodos incorporados
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Muera 120T3G |
DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
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En el caso de las
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B1100LB-13-F |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
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En el caso de las
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
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En el caso de las
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones. |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
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Panjit Internacional Inc.
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Las condiciones de producción de los productos se determinan por el método siguiente: |
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
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En el caso de las
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
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Panjit Internacional Inc.
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Las condiciones de producción y de comercialización de la sustancia |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas de dióxido de carbono.
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Tecnologías Infineon
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RB160M-60TR: el tipo de vehículo que debe utilizarse |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU
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Semiconductor de Rohm
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
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En el caso de las
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Se aplicará el método siguiente: |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
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Sanken Electric EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
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Sanken Electric EE.UU. Inc.
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ZHCS2000TA: las condiciones de los productos |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos. |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
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Semiconductor de Rohm
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El número SK54 |
DIODE SCHOTTKY 40V SMC
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Soluciones de diodos SMC
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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DFLS2100-7: el sistema de control de las emisiones |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A PWRDI123
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Diodos incorporados
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Apte15D100KG |
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220
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Tecnología de microchips
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
DIODE GP 1.2KV 30A TO220
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Tecnología de microchips
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APT15DQ120KG |
DIODE GP 1.2KV 15A TO220
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Tecnología de microchips
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Las medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A y B. |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero |
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL
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Panjit Internacional Inc.
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RB162VAM-20TR: el número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2M
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Semiconductor de Rohm
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El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovables será el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovables. |
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323
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Panjit Internacional Inc.
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B340AF-13 |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMAF
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Diodos incorporados
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FDLL300A |
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de seguridad. |
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
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Taiwán Semiconductor Corporation
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El contenido de PMEG45U10EPDAZ |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A CFP15
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS
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Semiconductor de Rohm
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El objetivo de la medida es: |
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
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En el caso de las
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SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
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Sanken Electric EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de evaluación de los riesgos. |
DIODE SCHOTT 50V 1A SOT89/PCP-1
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En el caso de las
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SJPB-H6VR: las condiciones de los productos de la categoría 1 |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
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Sanken Electric EE.UU. Inc.
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE1
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Tecnología de microchips
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SB10150 |
DIODE SCHOTTKY 150V 10A DO201AD
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Soluciones de diodos SMC
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SBR1045SP5-13 y sus derivados |
DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
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Diodos incorporados
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RB551V-30TE-17 y sus derivados |
Diodo SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE AVALANCHE 1.6KV 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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B360B-E3/5BT |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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BAT54L,315 |
DIODE SCHOTT 30V 200MA DFN1006-2
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV21WS-7-F |
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323
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Diodos incorporados
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