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Solos diodos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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DMA150E1600NA: el número de unidad |
DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B
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IXYS
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DLA60I1200HA |
DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
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IXYS
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DSEI12-06A: las condiciones de los vehículos y los equipos de seguridad |
DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC
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IXYS
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DSEP8-06A. El número de la autoridad competente es el siguiente: |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
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IXYS
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DSEP60-12A: las condiciones de los productos |
Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 60A a 247AD
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IXYS
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DSEI30-06A: las condiciones de los vehículos y de los vehículos |
DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD
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IXYS
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DSEP60-06A: las condiciones de los productos y los productos que se utilicen para la fabricación de los productos |
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
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IXYS
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DSEP30-06B: Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías |
DIODE GP 600V 30A ISOPLUS247
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IXYS
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DSEP29-06A. El número de la autoridad competente es el siguiente: |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
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IXYS
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DSEP12-12A: el número de unidad |
Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 15A TO220AC
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IXYS
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DSA30I150PA: el número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO220AC
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IXYS
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MDO500-12N1 y sus derivados |
DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU
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IXYS
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DSEP29-12A: el número de los equipos de ensayo |
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
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IXYS
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DSEI60-02A: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B |
DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD
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IXYS
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DSEP30-06A: las condiciones de los productos y los productos |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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IXYS
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DSEI20-12A: las condiciones de los vehículos |
DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC
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IXYS
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DSEI12-12A: las condiciones de los vehículos |
DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC
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IXYS
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MEO450-12DA |
DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6
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IXYS
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DSEI60-06A: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. |
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo |
DIODE GEN PURP 1.8KV 63A TO247AD
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IXYS
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DSEI120-06A: las condiciones de los vehículos y de los vehículos |
DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD
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IXYS
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DSEI8-06A: las condiciones de los vehículos y los equipos de seguridad |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE SCHOTTKY 30V 3A 6CPH
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de identificación. |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A POWERDI5
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Se trata de un producto que se utiliza para la fabricación de diodos.
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Diodos incorporados
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S5J |
DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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Taiwán Semiconductor Corporation
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En el caso de las empresas de la Unión Europea |
DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
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Soluciones de diodos SMC
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RB168M150TR: el número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
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Semiconductor de Rohm
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RB168M-40TR: el número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
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Semiconductor de Rohm
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Las demás: |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Diodo SCHOTTKY 30V 2A PMDU, para el cual se utiliza un diodo de aluminio
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Semiconductor de Rohm
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Sección 16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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Taiwán Semiconductor Corporation
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El número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Sección 2 |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
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Taiwán Semiconductor Corporation
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El uso de la tecnología BAT54A |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwán Semiconductor Corporation
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RB520S-30 y sus derivados |
El número de unidad de control es el número de unidad de control.
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Las condiciones de producción |
DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
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Soluciones de diodos SMC
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APT60DQ120BG, el cual es el |
DIODE GP 1.2KV 60A TO247
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Tecnología de microchips
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MURS360BT3G |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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En el caso de las
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No se puede utilizar. |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
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Diodos incorporados
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El uso de la tecnología BAT54S |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Se aplicará el método de ensayo de la norma NRVBS3100T3G |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de registro. |
Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 30A TO247
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Tecnología de microchips
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MBR40250TG |
DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220
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En el caso de las
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El número de la prueba es el siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220-2
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En el caso de las
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MUR8100EG |
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2
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En el caso de las
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MUR860G |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Diodo SCHOTTKY 100V 3A SMC, para el cual se utiliza un diodo de aluminio.
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En el caso de las
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