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Solos diodos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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El objetivo de la medida es: |
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
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En el caso de las
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SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
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Sanken Electric EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de evaluación de los riesgos. |
DIODE SCHOTT 50V 1A SOT89/PCP-1
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En el caso de las
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SJPB-H6VR: las condiciones de los productos de la categoría 1 |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
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Sanken Electric EE.UU. Inc.
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE1
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Tecnología de microchips
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SB10150 |
DIODE SCHOTTKY 150V 10A DO201AD
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Soluciones de diodos SMC
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SBR1045SP5-13 y sus derivados |
DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
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Diodos incorporados
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RB551V-30TE-17 y sus derivados |
Diodo SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE AVALANCHE 1.6KV 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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B360B-E3/5BT |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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BAT54L,315 |
DIODE SCHOTT 30V 200MA DFN1006-2
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV21WS-7-F |
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323
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Diodos incorporados
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1SS388 |
DIODE GEN PURP 40V 100MA SOD523
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Soluciones de diodos SMC
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US1D |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BAV3004W-7-F |
DIODE GEN PURP 300V 225MA SOD123
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Diodos incorporados
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves que no cumplan los requisitos de la presente Directiva. |
DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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RB162M-40TR: el número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Semiconductor de Rohm
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PDU620-13 y sus componentes |
DIODE GEN PURP 200V 6A POWERDI5
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Diodo SCHOTTKY de 100 V 5A a 277A, el cual se utiliza para la producción de dióxido de carbono.
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el método siguiente: |
DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
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Panjit Internacional Inc.
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Se aplicarán las disposiciones siguientes: |
DIODE SCHOTTKY 30V 700MA 3CP
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En el caso de las
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BYG23M-E3/TR |
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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RB051M-2YTR |
DIODE SCHOTTKY 20V 3A PMDU
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de una prueba de la calidad de los productos. |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
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En el caso de las
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El número SK16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB
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Soluciones de diodos SMC
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BAS21W |
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Las condiciones de producción de los productos incluidos en el anexo I se especifican en el anexo II. |
DIODE GP 200V 150A POWIRTAB
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de motor. |
DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Los datos de las pruebas de detección se deben presentar en el formulario de evaluación. |
DIODE GP 600V 30A TO247
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Tecnología de microchips
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MSS1P6-M3/89A: el contenido de agua en el agua |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de ensayo. |
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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1SS400 |
El número de unidad de control debe ser el número de unidad de control.
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Taiwán Semiconductor Corporation
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1N4148WSQ-7-F |
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
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Diodos incorporados
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La BAT54C es la siguiente: |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Se aplicará el método de ensayo. |
Se aplican las siguientes medidas:
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Semiconductor de Rohm
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T1M-13-F |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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1SS355 |
SOD-323F, 90V, 0.25A, SWITCHING
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Las demás sustancias |
El número de unidad de control es el número de unidad de control.
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Se aplicará el método de clasificación de los vehículos de las categorías A y B. |
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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DFLS130-7: las condiciones de los productos |
DIODE SCHOTTKY 30V 1A PWRDI123
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
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STMicroelectrónica
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