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Semiconductor de Samsung

Semiconductor de Samsung
Semiconductor de Samsung
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Introducción

Semiconductor de Samsung

Los productos más nuevos
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0

512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

64Mb K-die SDRAM
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0

1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Memory IC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC

K4H511638J-LCCC

512Mb C-die DDR SDRAM Specification
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12

Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

1Gb F-die DDR2 SDRAM
K4B4G1646D-BCMA

K4B4G1646D-BCMA

4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

32M x 8 Bit NAND Flash Memory
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

8Gb B-die DDR4 SDRAM
K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD

8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification
K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7

1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
K9GAG08U0E-SCB0

K9GAG08U0E-SCB0

16Gb E-die NAND Flash
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Graphic Memory
K4G41325FE-HC28

K4G41325FE-HC28

Graphic Memory
K4E6E304EE-EGCF

K4E6E304EE-EGCF

Memory IC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Graphic Memory
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.

Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.

SDRAM Product Guide
K4S511632D-UC75

K4S511632D-UC75

DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8

K4T1G164QE-HCF8

1Gb E-die DDR2 SDRAM
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
Los productos de la categoría A incluidos en la lista de productos de la categoría B incluyen:

Los productos de la categoría A incluidos en la lista de productos de la categoría B incluyen:

32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4S561632N-LC75

K4S561632N-LC75
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
Imagen parte # Descripción fabricante Común RFQ
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 bits / 1G x 8 bits Memoria flash NAND
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:
64 Mb de memoria SDRAM
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
Memoria flash NAND de 256M x 8 bits
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0
Memoria flash NAND de 1G x 8 bits / 2G x 8 bits
Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:
IC de memoria
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
96FBGA sin plomo y sin halógenos
K4H511638J-LCCC

K4H511638J-LCCC
Especificación de 512 Mb C-die DDR SDRAM
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
1Gb E-die NAND flash
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12
Memoria gráfica
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7
1 GB de memoria RAM de tipo F-die DDR2
K4B4G1646D-BCMA

K4B4G1646D-BCMA
4Gb B-dado DDR3 SDRAM Olny x16
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:
Memoria flash NAND de 32M x 8 bits
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
8Gb de memoria DDR4 SDRAM de tipo B
K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Especificación de la DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA sin plomo y sin halógenos (compatible con RoHS)
K9GAG08U0E-SCB0

K9GAG08U0E-SCB0
16Gb E-die NAND flash
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria gráfica
K4G41325FE-HC28

K4G41325FE-HC28
Memoria gráfica
K4E6E304EE-EGCF

K4E6E304EE-EGCF
IC de memoria
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Especificación de la memoria DDR3 SDRAM de 1 GB
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Memoria gráfica
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.

Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Guía del producto SDRAM
K4S511632D-UC75

K4S511632D-UC75
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Bancos DRAM sincrónica LVTTL
K4T1G164QE-HCF8

K4T1G164QE-HCF8
1 GB de memoria E-die DDR2 SDRAM
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:
Memoria flash NAND de 128M x 8 bits / 256M x 8 bits
Los productos de la categoría A incluidos en la lista de productos de la categoría B incluyen:

Los productos de la categoría A incluidos en la lista de productos de la categoría B incluyen:
Memoria flash NAND de 32M x 8 bits
K4S561632N-LC75

K4S561632N-LC75
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
Memoria flash NAND de 128M x 8 bits / 256M x 8 bits
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
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