IRF100B201
fabricante:
IR/Infineon
Descripción:
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4,2 mOhm, 170 nC Qg, el cual es el más potente
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
192 A
Estilo de montaje:
A través del agujero
Marca registrada:
StrongIRFET
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-220-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El tubo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
2 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
4.2 mOhms
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Qg - carga de la puerta:
170 nC
Fabricante:
IR / Infineon
Introducción
El IRF100B201, de IR / Infineon, es MOSFET. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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