IRF7343TRPBF
fabricante:
IR/Infineon
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas de aluminio.
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
Canal N, Canal P
Tecnología:
Si
Categoría de productos:
MOSFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Envase / estuche:
SO-8
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
55 V
embalaje:
El rollo
Identificación - corriente continua del dren:
4,7 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
65 mOhms
Número de canales:
2o canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Qg - carga de la puerta:
24 nC
Fabricante:
IR / Infineon
Introducción
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