IRF7342TRPBF
Especificaciones
Polaridad del transistor:
P-canal
Tecnología:
Si
Categoría de productos:
MOSFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Envase / estuche:
SO-8
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
- 55 V
embalaje:
El rollo
Identificación - corriente continua del dren:
- 3,4 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
105 mOhms
Número de canales:
2o canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Qg - carga de la puerta:
26 nC
Fabricante:
IR / Infineon
Introducción
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Imagen | parte # | Descripción | |
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