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RUM002N02T2L

fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Estado del producto:
Actividad
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
25 pF @ 10 V
Serie:
-
Vgs (Max):
±8V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Supplier Device Package:
VMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Mfr:
Rohm Semiconductor
Operating Temperature:
150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 2.5V
Power Dissipation (Max):
150mW (Ta)
Package / Case:
SOT-723
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RUM002
Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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