RD3P130SPTL1
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
200mOhm @ 6.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2400 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Instalación en la superficie
Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252
Mfr:
Rohm Semiconductor
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
13A (TA)
Power Dissipation (Max):
20W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RD3P130
Introducción
P-Canal 100 V 13A (Ta) 20W (Tc) Montado de superficie TO-252
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