Se aplicarán las siguientes medidas:
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
7V @ 5.5mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
100 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
104mOhm @ 21A, 15V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
15V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (máximo):
±30V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3500 pF @ 100 V
Mounting Type:
Through Hole
Serie:
-
Supplier Device Package:
TO-247G
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
42A (Tc)
Power Dissipation (Max):
495W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
R6042
Introducción
N-canal 600 V 42A (Tc) 495W (Tc) a través del agujero TO-247G
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor
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