Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9.2 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 3.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
780 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TSMT6 (SC-95)
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RSQ035
Introducción
P-Canal 30 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Montaje de superficie TSMT6 (SC-95)
Productos relacionados
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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Se aplicará el procedimiento de ensayo.
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RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Se aplicará el procedimiento siguiente:
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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
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Se aplicarán las siguientes medidas:
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
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