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Se aplicará el procedimiento siguiente:

fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
SC-96
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
92mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
12V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
220 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TSMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RTR025
Introducción
N-Canal 30 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Montaje de superficie TSMT3
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