Se aplicará el procedimiento siguiente:
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
SC-96
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
92mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
12V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
220 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TSMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RTR025
Introducción
N-Canal 30 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Montaje de superficie TSMT3
Productos relacionados

RSD050N10TL
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
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RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

Se aplicarán las siguientes medidas:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP

RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252

RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252

Se aplicará el procedimiento de ensayo.
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET

RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252

Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT

El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

Se aplicarán las siguientes medidas:
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G

Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3

Las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.
MOSFET N-CH 600V 76A TO247

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
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