RSD050N10TL
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
530 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
CPT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
15W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
RSD050
Introducción
Se aplicará el método de medición de la velocidad en el caso de los motores de combustión.
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