Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15 pF @ 10 V
Series:
-
Vgs (Max):
±10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Paquete de dispositivos del proveedor:
VMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 4.5V
Disipación de poder (máxima):
150 mW (Ta)
Package / Case:
SOT-723
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RZM001
Introducción
Se aplicará el método de medición de la velocidad en el punto de ensayo.
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
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RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Se aplicarán las siguientes medidas:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| Imagen | parte # | Descripción | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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