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Se aplicarán las siguientes medidas:

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Rating: 4.6 (173 reviews)

fabricante:

Semiconductor de Rohm

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP

Categoría:

Productos de semiconductor discretos

Especificaciones

Category:

Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature:

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.5V @ 1mA

Operating Temperature:

150°C (TJ)

Package / Case:

8-PowerTDFN

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

175 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

3.1mOhm @ 26A, 10V

FET Type:

P-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

4.5V, 10V

Package:

Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss):

30 V

Vgs (Max):

±20V

Product Status:

Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

7850 pF @ 15 V

Mounting Type:

Surface Mount

Serie:

Supplier Device Package:

8-HSOP

El Sr.:

Semiconductor de Rohm

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

26A (Ta), 80A (Tc)

Disipación de poder (máxima):

3W (TA)

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Número del producto de base:

Se trata de un

Introducción

P-Canal 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Montado en la superficie 8-HSOP

RSD050N10TL

MOSFET N-CH 100V 5A CPT3

Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

RSR025P03TL

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3