2SK3018T106 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B se aplican a los vehículos de las categorías A y B.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Not For New Designs
Tipo de montaje:
Instalación en la superficie
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.5V @ 100μA
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
13 pF @ 5 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Supplier Device Package:
UMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8Ohm @ 10mA, 4V
Mfr:
Rohm Semiconductor
Operating Temperature:
150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4V
Power Dissipation (Max):
200mW (Ta)
Package / Case:
SC-70, SOT-323
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
2SK3018
Introducción
N-Canal 30 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Montaje de superficie UMT3
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RSR025P03TL
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| Imagen | parte # | Descripción | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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