RJP020N06T100
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 y el sistema de transmisión de energía
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-243AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
10 nC @ 4 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
240mOhm @ 2A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
160 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
MPT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
500mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RJP020
Introducción
Canal N 60 V 2 A (Ta) 500 mW (Ta) Montaje en superficie MPT3
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RD3H200SNTL1
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RD3P050SNTL1
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
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RD3P050SNTL1 |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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