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Se aplicará el procedimiento siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
123 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
480mOhm @ 7.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4080 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Series:
Linear L2™
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
15A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
IXTP15
Introducción
N-canal 500 V 15A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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El número de unidades de producción

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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