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Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en el anexo III.

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
378 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 60A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
28000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Trench
Supplier Device Package:
TO-264AA (IXFK)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
230A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1670W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFK230
Introducción
N-canal 200 V 230A (Tc) 1670W (Tc) a través del agujero TO-264AA (IXFK)
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Las demás:

Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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El número de unidades de la serie IXFH13N50

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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