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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Rating: 4.8 (139 reviews)

fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Categoría:

Productos de semiconductor discretos

Especificaciones

Category:

Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature:

Vgs(th) (Max) @ Id:

5V @ 8mA

Operating Temperature:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case:

SOT-227-4, miniBLOC

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

150 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

270mOhm @ 16A, 10V

FET Type:

N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

10V

Package:

Tube

Drain to Source Voltage (Vdss):

800 V

Vgs (Max):

±30V

Estado del producto:

Actividad

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

8820 pF @ 25 V

Tipo de montaje:

Montura del chasis

Series:

HiPerFET™, Polar

Paquete de dispositivos del proveedor:

Se trata de la SOT-227B.

Mfr:

IXYS

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:

29A (Tc)

Power Dissipation (Max):

625W (Tc)

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number:

IXFN32

Introducción

N-canal 800 V 29A (Tc) 625W (Tc) Montado del chasis SOT-227B

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El número de unidades de producción

MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA

Las demás:

MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA