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Toshiba Semiconductor y almacenamiento

Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Imagen parte # Descripción fabricante Común RFQ
El número de unidades de carga de las unidades de carga

El número de unidades de carga de las unidades de carga

IC GATE XOR 4CH 2-INP 14TSSOP
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOPB
Se trata de un sistema de control de velocidad.

Se trata de un sistema de control de velocidad.

IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2

Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC
Se aplicará a los vehículos de motor de motor de la categoría M1

Se aplicará a los vehículos de motor de motor de la categoría M1

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Se trata de un sistema de control de las emisiones.

IC INV SCHMITT 6CH 1-IN 14SOIC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20SOIC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IC BUFFER NON-INVERT 6V 16SOIC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2

Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2

IC TXRX NON-INVERT 6V 20SOIC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el sistema se calculará en función de las emisiones de
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP
TK8S06K3L ((T6L1,NQ)

TK8S06K3L ((T6L1,NQ)

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
El SSM3J332R, LF

El SSM3J332R, LF

MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
El SSM3J328R, LF

El SSM3J328R, LF

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
74HC164D

74HC164D

El registro de cambio IC 8BIT 14SOP
74HC595D

74HC595D

El registro de cambio IC 8BIT 16SOP
74HC165D

74HC165D

IC 8BIT SHIFT REGISTER 16SOIC y el resto de los componentes
74HC573D

74HC573D

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC y el resto de los componentes
TCS40DPR, LF: las condiciones de las condiciones de trabajo

TCS40DPR, LF: las condiciones de las condiciones de trabajo

INTERRUPTOR MAGNÉTICO OMNIPOLAR SOT23F
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

IC BUF NO INVERTIDO 5.5V 20TSSOP
74HC123D

74HC123D

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l
74HC373D

74HC373D

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el sitio
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