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Semiconductor de Samsung

Semiconductor de Samsung
Imagen parte # Descripción fabricante Común RFQ
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0

512M x 8 bits / 1G x 8 bits Memoria flash NAND
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

64 Mb de memoria SDRAM
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Memoria flash NAND de 256M x 8 bits
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0

Memoria flash NAND de 1G x 8 bits / 2G x 8 bits
Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

IC de memoria
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

96FBGA sin plomo y sin halógenos
K4H511638J-LCCC

K4H511638J-LCCC

Especificación de 512 Mb C-die DDR SDRAM
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

1Gb E-die NAND flash
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12

Memoria gráfica
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

1 GB de memoria RAM de tipo F-die DDR2
K4B4G1646D-BCMA

K4B4G1646D-BCMA

4Gb B-dado DDR3 SDRAM Olny x16
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

Memoria flash NAND de 32M x 8 bits
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

8Gb de memoria DDR4 SDRAM de tipo B
K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD

8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Especificación de la DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7

1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA sin plomo y sin halógenos (compatible con RoHS)
K9GAG08U0E-SCB0

K9GAG08U0E-SCB0

16Gb E-die NAND flash
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Memoria gráfica
K4G41325FE-HC28

K4G41325FE-HC28

Memoria gráfica
K4E6E304EE-EGCF

K4E6E304EE-EGCF

IC de memoria
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Especificación de la memoria DDR3 SDRAM de 1 GB
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Memoria gráfica
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.

Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.

Guía del producto SDRAM
K4S511632D-UC75

K4S511632D-UC75

DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Bancos DRAM sincrónica LVTTL
K4T1G164QE-HCF8

K4T1G164QE-HCF8

1 GB de memoria E-die DDR2 SDRAM
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

Memoria flash NAND de 128M x 8 bits / 256M x 8 bits
Los productos de la categoría A incluidos en la lista de productos de la categoría B incluyen:

Los productos de la categoría A incluidos en la lista de productos de la categoría B incluyen:

Memoria flash NAND de 32M x 8 bits
K4S561632N-LC75

K4S561632N-LC75

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Memoria flash NAND de 128M x 8 bits / 256M x 8 bits
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Memoria flash NAND de 1G x 8 bits / 2G x 8 bits
K9F2G08U0C-SIB0

K9F2G08U0C-SIB0

2Gb C-die NAND flash
K9F2G08U0C-SCB0

K9F2G08U0C-SCB0

2Gb C-die NAND flash
S3C4530A01-QE80: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción

S3C4530A01-QE80: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción

El microcontrolador RISC de 16/32 bits es un microcontrolador rentable y de alto rendimiento
S3C2440AL-40

S3C2440AL-40

Microprocesador RISC de 16/32 bits
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.

El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.

K4S641632N-LC60

K4S641632N-LC60

1M x 16Bit x 4 Bancos DRAM sincronizada
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Memoria DDR3 SDRAM
S3C2410AL-20

S3C2410AL-20

Microprocesador del Risc
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

K4S561632E-UC75

K4S561632E-UC75

256 Mb E-die SDRAM Especificación 54 TSOP-II con libre de Pb (compatible con RoHS)
K9K8G08U0B-PCB0

K9K8G08U0B-PCB0

Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

K4T1G164QF-BCE7

K4T1G164QF-BCE7

1 GB de memoria RAM de tipo F-die DDR2
Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos.

Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos.

512 Mb de memoria DDR2 de tipo B
Los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplican a los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor.

Los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplican a los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Especificación de la memoria RAM SDR3 de 1 GB C-die
K4S561632J-UC75

K4S561632J-UC75

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros deben cumplirse en todos los casos.

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros deben cumplirse en todos los casos.

1Gb de flash NAND
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