Filtros
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Memoria
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
96FBGA sin plomo y sin halógenos
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Semiconductor de Samsung
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K4H511638J-LCCC |
Especificación de 512 Mb C-die DDR SDRAM
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Semiconductor de Samsung
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Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
1Gb E-die NAND flash
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Semiconductor de Samsung
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K4W1G1646E-HC12 |
Memoria gráfica
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Semiconductor de Samsung
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K4T1G084QF-BCF7 |
1 GB de memoria RAM de tipo F-die DDR2
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Semiconductor de Samsung
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K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-dado DDR3 SDRAM Olny x16
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Semiconductor de Samsung
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MT48LC16M16A2P-6A: G |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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MT48LC8M16A2B4-6A: L |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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MT48LC8M16A2P-6A: L |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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MT41K256M16HA-125IT: E |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, las empresas de servicios de telecomunicaciones deberán tener en cuenta las siguientes características: |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
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Tecnología de micrones
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MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
Las condiciones de los datos de los Estados miembros son las siguientes:
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Tecnología de micrones
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MT29F1G08ABAEAWP: E |
Las condiciones de los datos de los Estados miembros son las siguientes:
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Tecnología de micrones
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El objetivo de las medidas de seguridad es: |
Las condiciones de las condiciones de producción se determinan por el método de ensayo.
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Tecnología de micrones
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MT4F4G08ABAEAH4-IT:E |
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
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Tecnología de micrones
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MT29F8G08ABACAWP-IT: C |
Las condiciones de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se determinarán en función de l
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Tecnología de micrones
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M29W128GH7AN6E |
Las condiciones de las condiciones de trabajo se establecen en el anexo I del presente Reglamento.
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Tecnología de micrones
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MT41J128M16JT-093: K |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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MT4204M4204M4204M4204 |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán exigir a las autoridades competentes que no cumplan los requisitos siguientes: |
Los datos de los datos de los Estados miembros son los datos de los Estados miembros.
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Tecnología de micrones
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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán exigir a los Estados miembros que no cumplan los requisitos siguientes: |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
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Tecnología de micrones
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Las medidas de seguridad se aplicarán a las aeronaves de las categorías A y B. |
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
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Tecnología de micrones
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MT48LC2M32B2P-6A: J |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el e
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Tecnología de micrones
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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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MT48LC4M16A2P-6A: J |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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W29N01GVSIAA |
Las condiciones de los datos de los Estados miembros son las siguientes:
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Productos electrónicos Winbond
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W25Q16CLSSIG y el resto de los datos |
Las condiciones de los datos de los datos de los Estados miembros se determinarán de acuerdo con el
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Productos electrónicos Winbond
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W25Q32FVSSIQ |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efec
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Productos electrónicos Winbond
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W25Q128FVPIQ |
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
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Productos electrónicos Winbond
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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos. |
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
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Tecnología de micrones
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M25P128-VMF6PB |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efec
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Tecnología de micrones
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MT47H32M16NF-25E: H |
El número de unidad de control es el número de unidad de control.
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Tecnología de micrones
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MT29F32G08CBACAWP-Z: C |
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de la categoría 2 y
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Tecnología de micrones
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MT4A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2B2A2A2B2A2B2A2B2A2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B |
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de las categorías 1
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Tecnología de micrones
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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán exigir a las autoridades competentes que: |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efec
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Tecnología de micrones
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EDW4032BABG-70-F-D |
La memoria RAM de IC 4G PARALLEL 170FBGA
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Tecnología de micrones
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W25Q128FVSIQ |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones de combustión interna son las sigu
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Productos electrónicos Winbond
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W25Q256FVEIQ |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se basa en el sistema de contr
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Productos electrónicos Winbond
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W25Q16DVSSIQ |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efec
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Productos electrónicos Winbond
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W25Q80BLUXIG |
Las emisiones de gases de efecto invernadero son las siguientes:
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Productos electrónicos Winbond
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MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M4205M420M420M |
El número de unidades de recolección de datos es el número de unidades de recolección.
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Tecnología de micrones
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MT41K512M16HA-125: |
La memoria DRAM 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
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Tecnología de micrones
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MT4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4105M4106M4106M4106M4106M4106M4106M4106M4106M4106 |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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TC58NYG0S3HBAI6 y el número de unidades |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58NVG3S0FTA00: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. |
Memoria flash de 8 GB 3.3 V SLC NAND EEPROM
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toshiba
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MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F |
IC Flash 256G paralelo a los 83 MHz
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Tecnología de micrones
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
RAM flash 4G paralelo 533MHZ
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Tecnología de micrones
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