Filtros
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Memoria
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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MT4A1G16WBU-083E:B |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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MT4A1G8WE-075E:B |
El número de unidad de control es el número de unidad de control.
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Tecnología de micrones
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MT4A512M16JY-075E:B |
El número de unidad de control es el número de unidad de control.
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Tecnología de micrones
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invernadero se registran en el ín
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Tecnología de micrones
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Se trata de un sistema de control de velocidad.
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Tecnología de micrones
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 y sus componentes |
IC DRAM 288G PARALÉL 1467MHZ
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Tecnología de micrones
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TC58NVG2S3ETA |
Memoria Flash 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
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toshiba
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Se aplicará el método de clasificación de los productos de la categoría 1 del anexo I. |
El sistema de control de la velocidad es el sistema de control de velocidad.
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Tecnología de micrones
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¿ Qué es esto? |
Memoria Flash 4GB NAND EEPROM
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toshiba
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THGBMHG8C2LBAIL |
Memoria flash de 32 GB NAND EEPROM con una capacidad de almacenamiento
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toshiba
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MT5A1A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A |
Las medidas de seguridad se aplicarán a las instalaciones de los Estados miembros que estén sujetas
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Tecnología de micrones
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TC58NVG1S3ETAI0 El número de unidades |
Memoria flash 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash EEPROM en serie
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toshiba
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MTFC32GAPALBH-AIT |
El sistema de control de la velocidad es el sistema de control de velocidad.
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Tecnología de micrones
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MTFC64GAJAECE-AAT |
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se especifican en el anexo II.
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Tecnología de micrones
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MTFC64GAPALBH-AIT |
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se especifican en el anexo II.
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Tecnología de micrones
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
El número de unidad de control de velocidad es el número de unidad de control.
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Tecnología de micrones
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo. |
Memoria Flash 4Mb QSPI, COMPENSACIÓN 150Mil, RoHS de 8 pernos, Y, T&R
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El ISSI
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N25Q032A13ESE40F |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
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Tecnología de micrones
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S34ML02G104TFI010 |
Memoria flash 2G 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
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Tecnología de micrones
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S34ML01G100TFI000 |
Memoria Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Expansión / Ciprés
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S34ML04G200TFI000 |
Memoria Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
Memoria Flash 4Mb QSPI, COMPENSACIÓN 208Mil, RoHS de 8 pernos, Y, T&R
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El ISSI
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello
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El ciprés semiconductor
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
Memoria flash 512Kb QSPI, SOP de 8 pines 150 Mil, RoHS, ET
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El ISSI
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IS25LQ040B-JNLE |
Memoria Flash 4Mb QSPI, 8 pines SOP 150Mil, RoHS, ET
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El ISSI
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Memoria flash de 32 MB
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Productos electrónicos Winbond
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
Las medidas de seguridad se aplicarán a las instalaciones de los Estados miembros que no cumplan los
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Tecnología de micrones
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S29PL032J70BFI120 |
Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 70ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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S34ML01G100BHI000 |
Memoria Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Memoria flash NAND de 32M x 8 bits
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Semiconductor de Samsung
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
8Gb de memoria DDR4 SDRAM de tipo B
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Semiconductor de Samsung
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K4A8G165WC-BCTD |
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
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Semiconductor de Samsung
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Especificación de la DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
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Semiconductor de Samsung
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K4T1G164QE-HCE7 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA sin plomo y sin halógenos (compatible con RoHS)
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Semiconductor de Samsung
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S25FL127SABBHIC00 |
Memoria flash de 128 MB 3V 108MHz en serie o sin flash
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Expansión / Ciprés
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16Gb E-die NAND flash
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Semiconductor de Samsung
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Memoria gráfica
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Semiconductor de Samsung
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K4G41325FE-HC28 |
Memoria gráfica
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Semiconductor de Samsung
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K4E6E304EE-EGCF |
IC de memoria
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Semiconductor de Samsung
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S29WS512P0SBFW000 |
Paralelo de memoria Flash 512Mb 1.8V 80Mhz NI de destello
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Expansión / Ciprés
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S29WS256P0PBFW000 |
Memoria Flash 256Mb 1.8V 66Mhz Paralelo NOR Flash
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Expansión / Ciprés
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
Memoria flash 3V 32 Mb Puerta flotante dos dirección 90s
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El ciprés semiconductor
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S29GL064N90TFI010 |
Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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El ISSI
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
El sistema de control de velocidad de los motores de las unidades de carga de las unidades de carga
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Tecnología de micrones
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
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Tecnología de micrones
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IS43TR16128AL-125KBL |
DDRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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El ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Especificación de la memoria DDR3 SDRAM de 1 GB
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Semiconductor de Samsung
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