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Memoria
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
Memoria Flash 32Gb 3.3V IC NAND de destello EEPROM
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toshiba
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TC58NVG0S3ETA00 |
Memoria flash 1 GB 3.3 V SLC NAND EEPROM flash
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toshiba
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¿ Qué es lo que está pasando? |
Memoria flash de 8 GB NAND EEPROM I-Temp
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toshiba
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¿ Qué es lo que está pasando? |
Memoria flash de 32 GB y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58CVG1S3HRAIG: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. |
Memoria Flash 2Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial
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toshiba
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor. |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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THGBMDG5D1LBAIT |
Memoria Flash 4GB NAND EEPROM
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toshiba
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¿Qué es lo que está pasando? |
Memoria Flash 64GB NAND EEPROM w/CQ
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toshiba
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S34ML04G200TFI003 Las condiciones de los productos de la categoría S34ML04G200 |
Memoria Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
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Expansión / Ciprés
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello
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El ciprés semiconductor
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S71VS128RC0AHK4L0 |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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S34ML04G100TFI000 |
Memoria Flash 4Gb 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S25FL128P0XNFI003 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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S34ML08G101TFI000 |
Memoria Flash 8G 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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S25FL064P0XMFI003 |
Memoria Flash los 64M Cmos 3V 104MHZ seriales NI de destello
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Expansión / Ciprés
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TC58CVG2S0HRAIG: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. |
Memoria Flash 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial
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toshiba
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Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa. |
Flash serial de memoria Flash los 256M 3V 166MHZ
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El ISSI
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IS25LQ010B-JNLE |
Memoria Flash 1Mb QSPI, 8 pines SOP 150Mil, RoHS, ET
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El ISSI
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Se aplicará el método siguiente: |
Memoria Flash 64Mb QPI/QSPI, COMPENSACIÓN 300Mil, RoHS de 16 pernos, Y
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El ISSI
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
Memoria Flash los 32M SPI, COMPENSACIÓN 208mil Y 2.3-3.6V de 8 pernos
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El ISSI
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo. |
Memoria Flash 1Mb QSPI, 8 pines SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
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El ISSI
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S29GL032N11TFIV20 |
Memoria flash de 32 MB 2.7-3.6V 110ns paralelo o no flash
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Expansión / Ciprés
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S29GL064N90TFI043 Las condiciones de los productos de las categorías 1 y 2 se aplicarán a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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S34MS02G100BHI000 |
Memoria Flash 2Gb, 1.8V, Flash NAND de 45ns
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El ciprés semiconductor
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor de motor. |
Paralelo de memoria Flash 32MB 2.7-3.6V 90ns NI de destello
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Expansión / Ciprés
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S34MS08G201BHI000 |
Memoria Flash NAND
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El ciprés semiconductor
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S29GL064N90FFI010 |
Paralelo de memoria Flash los 64M 3.0V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos. |
Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
Memoria Flash 16Mb 3V 65MHz Serie NOR Flash
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El ciprés semiconductor
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El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. |
Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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¿ Qué es lo que está pasando? |
Memoria Flash 8GB NAND EEPROM w/CQ
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toshiba
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S34ML04G100TFI003 Las condiciones de los productos de los que se trate se especifican en el anexo I. |
Memoria Flash 4Gb 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S25FL164K0XMFI011 |
Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello
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El ciprés semiconductor
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S34MS01G200BHI000 |
Memoria Flash 1Gb, 1.8V, 45ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S34ML01G200TFI003 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías |
Memoria Flash 1Gb, 3V, 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S34ML02G100TFI000 |
Memoria Flash 2Gb 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S34ML04G200BHI000 |
Memoria Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S25FL032P0XNFI011 |
Memoria Flash 4M CMOS 3V 50MHZ Serial NOR Flash
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Expansión / Ciprés
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S25FL032P0XMFI011 |
Memoria Flash los 32M Cmos 3V 104MHZ seriales NI de destello
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El ciprés semiconductor
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IS25WQ040-JNLE |
Memoria Flash 4Mb QSPI, 8 pines SOP 150Mil, RoHS, ET
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El ISSI
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S34MS02G200BHI000 |
Memoria Flash ECC de 4 BITS, E/S X8 y VCC de 1,8 V
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Expansión / Ciprés
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S34MS04G200BHI000 |
Memoria Flash 4G, 3V, 45ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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S29GL064N90BFI030: las condiciones de los productos y servicios |
Paralelo de memoria Flash 64MB 2.7-3.6V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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S34ML01G200TFI000 |
Memoria Flash 1Gb, 3V, 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
DDRAM 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
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El ISSI
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S29GL064N90TFI030: el número de unidades de producción de las que se trate. |
Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
La memoria DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3
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El ISSI
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Se aplicará el método siguiente: |
DDRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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El ISSI
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