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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC

25LC256-E/SN

IC EEPROM 256K SPI 10MHZ 8SOIC

24LC512-I/P

IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8DIP

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

AT25M01-SSHM-T

IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

Se trata de un sistema de control de la calidad.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON

W25Q128JVPIM

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON

W971GG6SB-25

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

MX29F800CBMI-70G

IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP

parte #	Descripción	fabricante
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Memoria gráfica	Semiconductor de Samsung
M29DW128G70NF6E	NOR Flash Paralelo 128Mbit 16 56/56	STMicroelectrónica
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM sincronizado	El ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM	El ISSI
Los datos de las autoridades competentes deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	Memoria Flash ni	El ciprés semiconductor
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM	El ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM sincronizado	El ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	La memoria DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM	El ISSI
El número de personas que pueden participar en el programa es el número de personas que pueden participar.	DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM	El ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM	El ISSI
IS43TR16256AL-125KBL	DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM	El ISSI
S29GL128N90FFAR22: el número de unidades de seguridad de las que se trate.	Memoria Flash ni	El ciprés semiconductor
¿ Qué es lo que está pasando?	Memoria flash de 8 GB EEPROM NAND	toshiba
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello	El ciprés semiconductor
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
THGBMHG7C1LBAIL	Memoria Flash 16GB NAND EEPROM con CQ	toshiba
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	Memoria Flash los 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NI flash	El ciprés semiconductor
S25FL116K0XMFI041	Memoria Flash el 16M, 3V, 108Mhz serial NI de destello	El ciprés semiconductor
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo.	Memoria flash 2 Mb QSPI, SOP de 8 pines 150 Mil, RoHS, ET, T&R	El ISSI
IS25LQ032B-JBLE	Memoria Flash los 32M SPI, COMPENSACIÓN 208mil Y 2.3-3.6V de 8 pernos	El ISSI
TC58NVG1S3HBAI4	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
El número de unidades de producción será el siguiente:	EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
TC58BVG0S3HTAI0	EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo	Paralelo de memoria Flash 32MB 3.0V 70ns NI de destello de destello	El ciprés semiconductor
S34MS04G100BHI000	Memoria Flash 4G, 1,8 V, Flash NAND de 45 ns	Expansión / Ciprés
S34ML01BHV000	Memoria Flash NAND	El ciprés semiconductor
S34MS01G100BHI000	Memoria flash 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash	Expansión / Ciprés
S29GL032N90TFI023: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.	Paralelo de memoria Flash 32MB 2.7-3.6V 90ns NI de destello	El ciprés semiconductor
IS25WP016D-JULE-TR	NOR Flash 16Mb QSPI, 8 pines USON 2X3MM, RoHS, T&R	El ISSI
TC58NVG1S3HTA00	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
TC58BVG1S3HTA00	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
TC58NVG0S3HTA00	EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
TC58BVG2S0HTAI0	EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia Europea para el Desarrollo Económico.	DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3	El ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM	El ISSI
Se trata de una prueba de la eficacia de las sustancias químicas.	DDRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V	El ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	La memoria DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM	El ISSI
Se aplicará el método siguiente:	la memoria DRAM DDR3L,8G,1.5V, RoHs 1600MT/s, 512Mx16	El ISSI
IS43DR16128B-25EBLI	DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 bolas BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT	El ISSI
Se aplicarán las siguientes medidas:	DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM	El ISSI
IS46TR16128B-15HBLA1	DRAM Automotriz (Tc: -40 a +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 bolas BGA (9mm x13mm	El ISSI
IS41LV16100C-50TLI	DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM sincronizado	El ISSI
IS43TR16128BL-125KBL	La memoria DRAM 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM	El ISSI
IS43TR16512AL-125KBLI	la memoria DRAM DDR3L,8G,1.35V, RoHs 1600MT/s, 512Mx16, IT	El ISSI
MT40A512M16TB-062E: J	COPITA DDR4 8G 512Mx16 FBGA	Tecnología de micrones
S29GL512P11FFI020: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B.	Paralelo de memoria Flash 512Mb 3V 110ns NI de destello	El ciprés semiconductor
El número de unidades de producción será el siguiente:	Memoria Flash el 16M, 3V, 108Mhz serial NI de destello	El ciprés semiconductor
TC58NVG1S3ETA00	Memoria flash 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash EEPROM en serie	toshiba
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Memoria Flash 3.3V 16Gbit NAND EEPROM	toshiba
DS2432P+T&R	EEPROM	ADI/Analog Devices Inc.

16 17 18 19 20

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales