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Productos de semiconductor discretos

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
Se aplicarán las siguientes medidas:

Se aplicarán las siguientes medidas:

Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de dióxido de carbono en el ensayo de las emisiones
Vishay General Semiconductor - División de diodos
El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad será el siguiente:

El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad será el siguiente:

DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277
Panjit Internacional Inc.
SBR12U100P5Q-13 y sus derivados

SBR12U100P5Q-13 y sus derivados

DIODE SBR 100V 12A POWERDI5
Diodos incorporados
B3100-13-F

B3100-13-F

DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
Diodos incorporados
Se trata de una

Se trata de una

DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
Soluciones de diodos SMC
FDC602P

FDC602P

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
En el caso de las
ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodos incorporados
FDMS86263P: las pruebas de seguridad

FDMS86263P: las pruebas de seguridad

MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
En el caso de las
NVMFS5113PLT1G

NVMFS5113PLT1G

MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
En el caso de las
No se puede utilizar.

No se puede utilizar.

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
En el caso de las
Las condiciones de los servicios de seguridad son las siguientes:

Las condiciones de los servicios de seguridad son las siguientes:

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
El uso de la tecnología BAT54

El uso de la tecnología BAT54

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523
Soluciones de diodos SMC
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
PJA138K_R1_00001

PJA138K_R1_00001

SOT-23, MOSFET
Panjit Internacional Inc.
SIR422DP-T1-GE3 (en inglés)

SIR422DP-T1-GE3 (en inglés)

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
El SSM3J328R, LF

El SSM3J328R, LF

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
MURD320T4G

MURD320T4G

DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
En el caso de las
Se trata de la DMN2058UW-7.

Se trata de la DMN2058UW-7.

MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Diodos incorporados
NX7002AK,215

NX7002AK,215

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
MURS360T3G

MURS360T3G

DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
En el caso de las
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB
En el caso de las
MUR1100ERLG

MUR1100ERLG

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
En el caso de las
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión

Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión

Diodo SCHOTTKY 40V 2A SMB
En el caso de las
MURS140T3G

MURS140T3G

DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
En el caso de las
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
En el caso de las
El número de la matrícula es:

El número de la matrícula es:

DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD123FL
En el caso de las
NHP220SFT3G

NHP220SFT3G

Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas de dióxido de carbono.
En el caso de las
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de motor.

Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de motor.

DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA
Vishay General Semiconductor - División de diodos
MUR460RLG

MUR460RLG

DIODE GEN PURP 600V 4A AXIAL
En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
STMicroelectrónica
B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Diodo SCHOTTKY 150V 3A SMB
STMicroelectrónica
RB161M-20TR

RB161M-20TR

DIODE SCHOTTKY 20V 1A PMDU
Semiconductor de Rohm
El objetivo es el siguiente:

El objetivo es el siguiente:

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL
En el caso de las
El número de la matrícula es:

El número de la matrícula es:

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
Soluciones de diodos SMC
El uso de la tecnología BAT46W-7-F

El uso de la tecnología BAT46W-7-F

Diodo SCHOTTKY 100V 150MA SOD123
Diodos incorporados
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero

Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
Panjit Internacional Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:
Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
En el caso de las
1N5811US

1N5811US

Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos
Tecnología de microchips
El RHRP1560

El RHRP1560

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2L
En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2

Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2

DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB
STMicroelectrónica
Se aplicará a los productos de la categoría II.

Se aplicará a los productos de la categoría II.

Se aplican las siguientes medidas:
Diodos incorporados
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.

Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
En el caso de las
B340LA-13-F: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo.

B340LA-13-F: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo.

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
Diodos incorporados
Muera 120T3G

Muera 120T3G

DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
En el caso de las
B1100LB-13-F

B1100LB-13-F

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
En el caso de las
Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
En el caso de las
149 150 151 152 153