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Productos de semiconductor discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
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En el caso de las
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BSS138 y BSS139 |
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
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En el caso de las
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En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características: |
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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Las acciones de Texas Instruments
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
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En el caso de las
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FDMS2672: el número de unidad |
MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP, para el cual se utilizará el sistema de transmisión de energía de la
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En el caso de las
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Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
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Diodos incorporados
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ZVP3310FTA |
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
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Diodos incorporados
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El número de personas afectadas por el accidente |
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
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Vishay Siliconix
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Las condiciones de los contratos de servicios de transporte |
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
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Vishay Siliconix
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Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros |
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
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Vishay Siliconix
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FDS8880: el número de unidades de producción |
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
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En el caso de las
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles para su uso. |
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%. |
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
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Vishay Siliconix
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
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Diodos incorporados
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2N7002K-7 |
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes: |
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
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En el caso de las
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
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Vishay Siliconix
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DMN2300U-7 |
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
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Diodos incorporados
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FDMS86163P |
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
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En el caso de las
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SUD50P06-15-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
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Vishay Siliconix
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Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
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Vishay Siliconix
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NDT3055L |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos. |
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
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En el caso de las
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FDMC7692S: las condiciones de los productos |
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
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En el caso de las
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Las condiciones de los servicios de seguridad de la Unión |
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
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Vishay Siliconix
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El PMV100EPAR |
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
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Diodos incorporados
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad. |
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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DMP2022LSS-13 y sus componentes |
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
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Diodos incorporados
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos de ensayo. |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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DMP2120U-7 |
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
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Diodos incorporados
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RUM002N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
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Semiconductor de Rohm
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE SCHOTTKY 30V 3A 6CPH
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de identificación. |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A POWERDI5
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Se trata de un producto que se utiliza para la fabricación de diodos.
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Diodos incorporados
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S5J |
DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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Taiwán Semiconductor Corporation
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En el caso de las empresas de la Unión Europea |
DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
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Soluciones de diodos SMC
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RB168M150TR: el número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
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Semiconductor de Rohm
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RB168M-40TR: el número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
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Semiconductor de Rohm
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Las demás: |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Diodo SCHOTTKY 30V 2A PMDU, para el cual se utiliza un diodo de aluminio
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Semiconductor de Rohm
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Sección 16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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Taiwán Semiconductor Corporation
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El número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Taiwán Semiconductor Corporation
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Sección 2 |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
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Taiwán Semiconductor Corporation
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El uso de la tecnología BAT54A |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwán Semiconductor Corporation
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RB520S-30 y sus derivados |
El número de unidad de control es el número de unidad de control.
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Taiwán Semiconductor Corporation
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