Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
50 pF @ 25 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-323.
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5Ohm @ 50mA, 5V
El Sr.:
Diodos incorporados
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Disipación de poder (máxima):
200mW (TA)
Package / Case:
SC-70, SOT-323
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
115mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
2N7002
Introducción
N-canal 60 V 115mA (Ta) 200 mW (Ta) Montado de superficie SOT-323
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Es el DMTH6016LPSQ-13
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