Las condiciones de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
3.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
250mOhm @ 1.8A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
166 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-23-3
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
625mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
ZXMN6
Introducción
N-Canal 60 V 1.2A (Ta) 625mW (Ta) Montaje de superficie SOT-23-3
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