Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.36 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4Ohm @ 400mA, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.7V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
25 V
Vgs (Max):
8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
42 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Serie:
-
Supplier Device Package:
SOT-23-3
El Sr.:
Diodos incorporados
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
260mA (Ta)
Disipación de poder (máxima):
320 mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número del producto de base:
El DMG301
Introducción
N-canal 25 V 260mA (Ta) 320mW (Ta) Montado de superficie SOT-23-3
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