El DMTH8003SPS-13
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
124.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.9mOhm @ 30A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8952 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
PowerDI5060-8 (Type K)
El Sr.:
Diodos incorporados
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
2.9W
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número del producto de base:
DMTH8003
Introducción
N-canal 80 V 100 A (Tc) 2,9 W PowerDI5060-8 de montaje superficial (tipo K)
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