¿Qué es eso?
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2798 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Supplier Device Package:
POWERDI3333-8
El Sr.:
Diodos incorporados
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
24A (Ta), 100A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número del producto de base:
El DMTH43
Introducción
N-canal 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.62W (Ta), 65.2W (Tc) Montaje de superficie POWERDI3333-8
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